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LG전자, 소규모 태양광 발전용 ‘올인원 ESS’ 출시

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Tuesday, August 13, 2019, 10:08:00

ESS 모든 구성요소 하나의 패키지로 통합한 일체형..설치 편의성 뛰어나
기존보다 14% 더 커진 313kWh 용량 배터리와 99kW급 PCS 탑재

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣLG전자가 소규모 태양광 발전소를 위해 더욱 안전하고 경제적인 에너지저장장치를 선보였다.

 

LG전자는 13일 100kW(키로와트)급 태양광 발전용 올인원(All-in-one) ESS(Energy Storage System)를 출시했다. 이 제품은 ESS의 여러 구성 요소를 하나로 통합한 일체형이며 지난해 출시했던 올인원 ESS의 경제성과 안전성을 높였다.

 

올인원 ESS는 전력변환장치(PCS; Power Conditioning System), 전력관리시스템(PMS; Power Management System), 배터리, 냉난방기, 소화설비, 발전된 전력을 배터리에 저장해주는 수배전반 등이 패키지로 되어 있어 설치가 간편하다.

 

신제품은 기존보다 14% 더 커진 313kWh(키로와트시) 용량의 배터리를 탑재했다. 한국전력 빅데이터센터에 따르면 지난해 7월부터 8월까지 두 달간 서울의 가구당 월평균 전력소비량이 308kWh인 것을 감안하면 가구당 매일 10kWh를 쓴다면 신제품 배터리는 약 30가구가 하루 동안 사용할 수 있는 전기를 저장할 수 있다.

 

또 태양광 발전이 하루 3.7시간 안팎이고 100kW급 태양광 발전소의 하루 평균 발전량이 370kWh 수준인 것을 감안하면 기존 274kWh 용량의 배터리보다 경제성과 효율성이 더욱 향상됐다.

 

신제품은 LG전자의 99kW급 PCS와 LG화학 배터리를 탑재했다. 배터리 용량은 15년 후에도 최대 75.4%까지 유지된다. LG전자가 올인원 패키지의 구성 요소 전부를 3년간 무상 보증한다.

 

이 제품은 24시간 모니터링을 통해 특이사항 발생 시 신속한 대응이 가능하다. 고객들은 PCS와 배터리뿐만 아니라 공조장치까지 원격으로 제어할 수 있다.

 

LG전자는 지난해 12월 산업통상자원부가 발표한 ‘ESS 사용전 검사 강화 방침’에 맞춰 신제품의 안전성을 더욱 강화했다. 기존 제품도 PCS, 배터리, 수배전반을 완전히 분리해 안전성이 높은 구조였지만 여기에 더해 내부에 불연(不燃) 마감재를 추가했다.

 

또 IMD(Insulation Monitoring Device) 장치는 배터리 출력에 이상이 발생하면 배터리 출력을 차단시켜 화재를 사전에 방지해준다.

 

LG전자는 상업용에 가장 많이 쓰이는 250kW급 PCS 제품에 대해 글로벌 인증기관 TUV SUD의 입회 하에 전기적 충격 시 화재 발생여부를 테스트하는 기준 (IEC62477-1, 5.2.4.2)을 통과해 화재 안전성을 입증했다. TUV SUD는 전기·전자제품, 에너지장치 등에 대해 규격을 인증하는 글로벌 인증기관이다.

 

특히 LG전자는 독자적인 현장 감리 프로세스를 적용해 ESS를 직접 시공한 50여 곳의 현장에서는 화재가 발생한 적이 없었다. LG전자는 ESS시장에서 핵심 부품, 시공역량은 물론 화재 안정성까지 인정받고 있다.

 

안혁성 LG전자 ESS사업담당은 “성능과 편의성은 물론이고 업계 최고 수준의 안전성까지 갖춘 차별화된 제품과 검증된 시공역량으로 국내 ESS시장을 지속 선도할 것”이라고 말했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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