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삼성전자, 글로벌 낸드점유율 30%대 회복...SK하이닉스, 10% 기록

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Friday, August 16, 2019, 11:08:47

디램익스체인지, 글로벌 반도체 점유율 발표..삼성전자, 1분기 29.9%→ 34.9% 올라
SK하이닉스 10.3%로 국내 반도체 점유율 45.2% 차지..도시바·WDC 등 10%대 기록

 

권지영 기자ㅣ올해 2분기 삼성전자가 전세계 메모리반도체 낸드플래시 시장에서 점유율 30%대를 회복한 것으로 나타났다. 지난 1분기 점유율은 29.9%을 기록했다. 작년 연간 점유율(44%)에서 30% 이하로 추락했다가 다시 30%대로 오른 것이다.

 

16일 글로벌 반도체 전문 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 올해 2분기 전 세계 낸드플래시 제조업체들의 낸드 매출 합계는 107억 8690만달러(약 13조 1000억원)로 전분기와 같았다.

 

이 중 삼성전자는 낸드 매출이 37억 6570만달러(약 4조 6000억원)를 기록해 전분기보다 16.6%, SK하이닉스는 11억 660만달러(약 1조 3000억원)로 8.1% 늘었다. 반면 2위 업체인 일본 도시바(東芝)는 전분기보다 10.6% 줄었고, 3, 4위에 오른 미국 WDC와 마이크론도 각각 10.6%, 6.5%씩 줄었다.

 

도시바는 지난 6월 낸드플래시 생산라인 정전에 따른 가동 중단 사태 등으로 공급 차질이 일부 발생한 바 있다.

 

이에 따라 삼성전자 글로벌 낸드플래시 점유율은 2분기 34.9%를 기록했고, SK하이닉스 또한 전분기 9.5%에서 10.3%로 올라 ‘반도체 코리아’의 합계점유율은 45.2%로 회복됐다.

 

디램익스체인지는 삼성전자가 “서버용 낸드의 수요 회복과 고용량 제품 증가 등으로 30% 점유율을 기록했다”고 설명했다. 이어 삼성전자가 올해 말까지는 현재 수준의 생산 계획을 유지할 것으로 전망했다.

 

도시바, WDC, 마이크론의 점유율은 각각 1분기 20.2%, 14.9%, 16.5%에서 2분기 19.1%, 14.0%, 13.5%로 하락했다.

 

디램익스체인지는 “3분기에는 계절적 수요가 출하량 증가로 이어질 전망이지만, 지정학적 갈등으로 인해 지난해 동기보다는 수요가 높지 않을 것”이라고 관측했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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