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최태원 회장 “AI 등 혁신기술 활용 못하면 SK 미래 담보 못 해”

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Friday, August 23, 2019, 09:08:39

디지털 트랜스포메이션, AI, 에너지솔루션 등 의제로 다룬 이천포럼 종료
“혁신기술이 사회적 가치 창출과 딥체인지의 핵심 원동력” 뜻 모아

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK가 디지털 트랜스포메이션(DT)과 인공지능(AI)등 혁신기술 ‘딥 체인지’의 핵심 동력으로 삼고, 기술의 글로벌 경쟁력을 끌어올리기 위해 역량을 결집시키기로 했다.

 

23일 SK에 따르면 ‘2019 이천포럼’에서 AI 등 이른바 ‘빅 트렌드’ 기술의 전략적 중요성을 확인하고, 이 같은 방침을 정했다. 지난 19일부터 나흘간 연 이천포럼은 지난 22일 막을 내렸다.

 

최태원 회장은 포럼 마지막날 이번 포럼의 주요 의제로 다룬 4차 산업혁명 시대의 대표 기술들이 고객 가치 창출로 연결돼야 한다는 점을 강조한 것이다. . 그는 “AI와 DT 등 혁신기술을 활용해 사회적 가치를 창출하고, 고객 행복을 만들어 내야 SK가 추구해 온 딥 체인지를 이룰 수 있다”고 말했다.

 

특히 최 회장은 “거래비용을 최소화하고, 고객이 원하는 가치를 효과적으로 전달할 수 있게 하는 혁신기술을 활용하지 못 하면 SK 미래를 담보할 수 없다”고 지적했다. 디지털 기술 역량 강화는 선택이 아닌 생존의 문제임을 강조한 것이다.

 

이어 최 회장은 “우리 고객이 누군지 재정의하고, 각 고객에게 맞춤형 가치를 제공해야 한다”며 “신뢰를 기반으로 고객과 1:1 관계를 구축하는데 힘을 쏟아야 한다”고 주문했다.

 

내년 1월 출범을 목표로 한 그룹 차원의 교육 인프라 ‘SK 유니버시티’ 설립을 제안한 것도 혁신기술 역량을 내재화하기 위한 전략이다.

 

이 날 최 회장은 에너지와 화학, 정보통신 기술을 접목한 ‘에너지 솔루션’ 비즈니스 모델로 소개했다. 그는 “앞으로 에너지 공급자 시각만으로 에너지 산업 변화의 물결에서 생존할 수 없다”며 “환경 문제를 해결하면서 고객 가치를 높이는 에너지 솔루션형 비즈니스 모델 혁신에 박차를 가하겠다”고 말했다.

 

마지막으로 최 회장은 “나부터도 변화는 두렵고 달갑지 않은 일이지만, 번지점프를 하듯이 두려움을 극복하고, 자꾸 새로운 시도를 하고 있다”며 “피할 수 없다면 변화를 즐기자”고 당부했다.

 

한편, 지난 19일부터 진행된 포럼은 최태원 회장과 조대식 SK수펙스추구협의회 의장 등 경영진과 임원 등 800여명이 참석했다. 국내외 석학과 전문가들의 강연을 듣고, 토론을 벌이기도 했다. 구성원들은 전용 모바일 앱 등을 통해 이천포럼 내용을 실시간으로 시청하면서 강연자들과 질의응답을 주고 받았다.

 

화상강연을 한 제레미 리프킨 미 경제동향연구재단 이사장은 “SK가 새로운 개념의 에너지 솔루션 사업을 추진하는 것은 인류 전체의 지속가능한 성장을 위해서도 매우 중요하고 시의적절하다”고 평가했다.

 

이항수 SK수펙스추구협의회 PR팀장은 “DT, AI 등 첨단 기술이 SK가 추구해온 사회적 가치와 딥체인지를 구현할 수 있는 핵심 동력이라는데 구성원들이 인식을 같이 하고, 기술역량 강화에 박차를 가하게 될 것”이라고 말했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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