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종근당, ‘창업주 이종근 회장 탄생 100주년 기념 신약개발 심포지엄’ 개최

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Wednesday, August 28, 2019, 12:08:14

글로벌 신약개발 현황과 전망 등 발표..한국 제약산업의 신약개발 비전 모색
한국 제약산업의 현대화 이끈 이종근 회장의 업적 및 신약개발 향한 의지 기려

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ종근당(대표 김영주)은 지난 27일 서울 서초구 더케이호텔에서 ‘고촌(高村) 이종근(李鍾根) 회장 탄생 100주년 기념 신약개발 심포지엄’을 개최했다고 28일 밝혔다.

 

해당 심포지엄은 종근당 창업주 고(故) 이종근 회장의 탄생 100주년을 맞아 약업보국을 실천하며 한국 제약산업의 현대화를 이끈 이 회장의 업적과 도전정신을 기리고, 신약개발을 향한 의지를 계승하여 글로벌 혁신신약 개발을 다짐하는 자리로 마련됐다.

 

이날 행사는 이장한 종근당 회장, 원희목 한국제약바이오협회 회장을 비롯해 국내·외의약계 전문가들과 종근당 임직원 250여명이 참석했으며, 이종근 회장 추모영상 상영을 시작으로 이장한 회장의 인사, 원희목 회장의 축사, 연사 발표, 패널 토론의 순서로 진행됐다.

 

줄리 거버딩(Julie Gerberding) MSD사 부회장은 ‘Inventing for Life’라는 제목의 기조연설을 통해 인간의 생명연장과 삶의 질 향상을 위한 신약개발의 중요성을 강조했다.

 

연사로 참여한 박영환 국가항암신약개발사업단 단장과 김동완 서울의대 혈액종양내과 교수는 각각 글로벌 항암제 연구개발과 폐암치료제 임상시험 현황 및 전망에 대해, 이동호 AI신약개발센터 센터장은 AI시스템 도입이 제약산업에 미치는 영향에 대해 발표했다.

 

이어 종근당 효종연구소의 김성곤 소장은 종근당의 연구개발 현황과 신약 파이프라인을 소개했다. 특히 주력 플랫폼인 히스톤디아세틸라제6(HDAC6)를 기반으로 퇴행성 신경질환과 심방세동, 자가면역질환 치료제 등 개발 중인 글로벌 혁신신약 후보를 소개하며 주목을 받았다.

 

마지막 패널 토론 순서에서는 범부처신약개발사업단 김성천 연구본부장의 주재로 한균희 연세대 약학대학 교수와 연사들이 패널로 참여해 ‘글로벌 신약 연구개발의 추진 방향’을 주제로 의견을 나누고 정보를 공유하는 시간을 가졌다.

 

이장한 회장은 인사말을 통해 “신약개발 심포지엄은 평생 제약업에 헌신한 이종근 회장의 삶의 의미를 기리는 뜻 깊은 자리가 될 것”이라며 “오늘 이 자리가 글로벌 혁신 신약개발에 대한 경험과 정보, 의견을 나누는 담론의 장이 될 수 있기를 기대한다”고 말했다.

 

종근당에 따르면 1919년 9월 9일 충남 당진에서 태어난 고촌 이종근 회장은 1941년 종근당을 창업하고 1960~70년대 국내 최대규모의 원료합성·발효공장을설립해 100% 수입에 의존하던 의약품 원료의 국산화를 이루어냈다. 1968년 국내 최초로 미국 FDA 승인을 획득한 항생제 ‘클로람페니콜’을 일본·미국 등에 수출해 한국 제약산업의 현대화와 국제화에 큰 업적을 남겼다는 평이다.

 

1972년에는 국내 제약업계 최초로 중앙연구소를설립해 신약개발의 토대를 마련했다. 중앙연구소에서 축적된 연구개발 노하우는 2003년 항암제 신약 캄토벨, 2013년 당뇨병 신약 듀비에의 개발로 이어졌다.

 

1973년 장학사업을 위한 종근당 고촌재단을 설립해 기업이윤의 사회환원에 앞장섰으며, 1986년에는 헌신적으로 장학사업을 펼쳐온 공로로 국민훈장 목련장을 수상했다. 2006년에는 결핵퇴치에 앞장선 업적을 기려 UN산하 결핵퇴치 국제협력사업단과 공동으로 국제적인 ‘고촌상(Kochon Prize)’이 제정된 바 있다. 2010년 한국조폐공사는 한국 제약산업의 발전에 이바지한 고인의 업적을 기려 ‘한국의 인물 시리즈 메달’의 52번째 인물로 고촌 이종근 회장을 선정하고 기념메달을 발행했다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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