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신림역 인근에 ‘역세권 청년주택 299호’ 들어선다...‘신혼부부 공급 강화’

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Thursday, August 29, 2019, 13:08:03

29일 도시관리계획 결정고시 및 건축허가, 내년 1월 착공, 22년 10월 입주 시작
지하 6층~지상 22층, 총 299세대 규모로 건립(공공임대 79세대·민간임대 220세대)

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 신림역 인근에 지하 6층~지상 22층, 총 299세대 규모의 역세권 청년주택이 들어선다. 특히 이번 신림역 역세권 청년주택 사업은 신혼부부 공급 강화에 초점을 맞췄다.

 

서울시는 신림역 인근 관악구 신림동 75-6번지 일원의 ‘신림역 역세권 청년주택’ 사업의 도시관리계획(지구단위계획)을 결정(변경) 고시했다고 29일 밝혔다.

 

이번에 도시관리계획 변경 결정 고시 및 건축허가를 통해 사업계획이 결정된 신림역 역세권 청년주택은 부지면적 2000㎡ 이상의 촉진지구 사업이다. 총 연면적은 2만 2860.91㎡다.

 

158개 주차면을 조성할 계획으로, 이 중 10% 이상인 16개의 주차면을 나눔카 전용으로 배정한다. 지하 2층~지상 2층은 근린생활시설, 지상 3층~22층은 청년주택으로 이뤄진다. 지상 3층에는 입주민들을 위한 커뮤니티 시설을 조성할 계획이다.

 

공급세대는 총 299세대(공공 79세대, 민간 220세대)이며 단독형 165세대 신혼부부형 134세대로 구성된다. 임대료의 경우 공공임대(79세대)는 주변 시세의 30%, 민간임대(220세대)는 주변 시세의 85~95% 수준이다. 2020년 1월에 착공해 2022년 4월에 입주자를 모집하고 2022년 10월에 준공 및 입주할 계획이다.

 

특히, 신림역 역세권 청년주택은 전체세대수의 약 45%에 해당하는 134세대의 신혼부부형을 계획해 신혼부부세대 공급을 강화했다. 아울러 2030세대의 주거트렌드를 반영해 55세대의 2인 쉐어하우스도 공급한다.

 

서울시 관계자는 “교통편이 양호한 역세권에 대학생, 사회초년생, 신혼부부 등 청년들에게 주변 시세보다 저렴한 양질의 임대주택을 공급하게 됨으로써 청년들의 주거난 해소에 기여할 것으로 보인다”고 전망했다.

 

김성보 서울시 주택건축기획관은 “신림동 역세권 청년주택이 차질 없이 진행되도록 지원하겠다”며 “서울시는 중앙정부와 긴밀히 협력해 법령·제도개선과 재정지원을 통해 역세권 청년주택을 비롯한 공공주택 공급을 확대하겠다”고 말했다.

 

한편, 역세권 청년주택은 만19세 이상 만39세 이하 무주택자인 청년 및 신혼부부 등에게 우선 공급하는 역세권 임대주택이다. 여기서 역세권이란 지하철, 국철, 경전철 역 등의 승강장으로부터 350m 이내의 지역을 의미한다.

 

역세권 청년주택 사업은 서울시가 용도지역 상향, 용적률 완화, 절차 간소화, 건설자금 지원 등을 제공하면 민간사업자가 역세권에 주거면적의 100%를 임대주택(공공‧민간)으로 건립해 청년들에게 우선 공급하는 방식으로 진행된다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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