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문재인 대통령 “한-라오스 긴밀한 협력, 동반성장하자”

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Saturday, September 07, 2019, 12:09:14

분냥 보라칫 대통령과 정상회담, 통룬 시술릿 총리 면담 한-메콩 협력 등 논의

 

“메콩강 품은 라오스서 ‘아세안 10개국 방문 완성’ 뜻깊다”

 

라오스를 국빈 방문 중인 문재인 대통령은 지난 5일 라오스 대통령궁에서 분냥 보라칫 대통령과 정상회담을 가졌다.

 

청와대 고민정 대변인은 “분냥 대통령은 항아리 평원이 유네스코 세계문화유산에 등재될 수 있도록 한국 정부가 지지해 준 점에 대해 감사를 표했다”고 말했다.

 

특히 “2018년 댐 사고 직후 한국정부는 긴급 복구를 위한 인도적 지원, 중장기 재건복구 사업을 지원해 감사했다”고 말했다.

 

문 대통령은 “불행했던 댐 사고를 잘 복구하고 계신 대통령의 리더십에 경의를 보낸다. 사고가 있었음에도 불구하고 한국 기업에 대해 계속적인 신뢰를 보내준 점 감사하다. 비 온 뒤 땅이 굳는 것처럼, 양국 관계가 더욱 단단해지길 바란다”고 강조했다.

 

분냥 대통령은 문재인 대통령의 한반도 평화 구축을 위한 ‘한반도 평화 프로세스’에 대해 “한반도의 비핵화로 한반도를 포함한 지역 내 평화가 정착되기를 희망한다”며 적극적 지지 입장을 나타냈다.

 

분냥 대통령은 “‘5개년 국가사회경제개발 계획’과 ‘비전 2030’ 등으로 정치적 안정성과 사회 치안 유지, 연간 성장률 6.5% 달성, 1인당 국민소득 증가를 이루었다. 하지만 여전히 극복해야 할 과제가 많다”라며 한국 정부의 지속적인 협력을 당부했다.

 

양 정상은 고위급 인사들의 방문 교류 필요성에 깊이 공감하며, 직항 증설을 통한 인적 교류 증대, 4건의 양해각서 체결 등을 높이 평가했다.

 

또한 문재인 대통령은 비엔티안의 시내 총리실에서 통룬 시술릿 총리와 면담에서 “‘모든 강들의 어머니’ 메콩강을 가장 길게 품은 라오스에서 아세안 10개국 방문을 완성하게 된 것을 뜻깊게 생각한다”며 밝혔다.

 

한국 정상이 라오스를 국빈방문하는 것은 이번이 처음이다. 문 대통령은 이날 통룬 총리와 한-라오스 양국관계를 미래지향적이고 호혜적으로 발전시키기 위한 실질협력 방안, 한-아세안 및 한-메콩 협력, 한반도 문제 및 국제무대에서의 협력 등에 대해 심도 있게 논의했다.

 

문 대통령은 “내년, 라오스와 한국은 재수교 25주년을 맞는다”며 “최근 5년간 양국의 인적교류는 2배 이상 늘었고, 한국은 라오스에 다섯 번째로 많이 투자하는 나라가 됐다”고 했다. 특히 “양국이 다양한 분야에서 지속적으로 협력을 강화해온 것은 길지 않은 수교 역사에 비하면 정말 놀라운 정도”라고 덧붙였다.

 

한편 문재인 대통령은 취임 2년 4개월만에 아세안 10개국 방문을 조기 약속을 완수했다. 1~3일 태국 방문, 3~5일 미얀마 국빈 방문, 5~6일 라오스 국빈 방문을 통해 아세안 모두 방문한 유일 대통령이 되었다.

 

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박명기 기자 pnet21@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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