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폭스바겐, 로고 바꾸고 주력 전기차 공개...“새 시대의 시작”

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Tuesday, September 10, 2019, 12:09:22

프랑크푸르트 모터쇼서 리브랜딩 전략 발표..“추구하는 미래 담았다”
주력 전기차 ID.3도 함께 공개..전기차 전용 공장서 11월부터 생산

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ폭스바겐은 독일에서 열린 프랑크푸르트 모터쇼를 통해 브랜드의 새로운 로고를 최초로 공개했다. 특히 폭스바겐은 미래를 이끌 신형 전기차 ‘ID.3’도 함께 발표해 새로운 시대의 시작을 선언했다.

 

폭스바겐코리아는 지난 9일(현지시간) 2019 프랑크푸르트 모터쇼 현장에서 ‘뉴 폭스바겐’이라는 모토를 담은 새로운 브랜드 디자인과 로고가 세계 최초로 공개됐다고 10일 밝혔다. 업계 최대 규모로 기록될 폭스바겐의 리브랜딩 작업은 2020년 중반까지 마무리될 예정이다.

 

폭스바겐의 마케팅 및 애프터세일즈 총괄 책임자인 위르겐 스탁만은 “새로운 브랜드 디자인은 폭스바겐의 새로운 시대의 시작을 의미한다”며 "전동화, 완벽한 연결성, 그리고 탄소 중립으로 상징되는 폭스바겐의 새로운 지향점을 세계에 보여줄 것“이라고 말했다.

 

폭스바겐의 리브랜딩 작업은 외부 기관에 맡기는 업계의 일반적인 관행과는 달리 내부 디자인팀과 마케팅팀의 공동 작업으로 이뤄졌다. 새로운 디자인은 9개월에 이르는 기간 동안 회사 전 부서의 협업을 통해 정해졌으며, 총 19개의 내부 팀과 17개의 외부 기관이 함께 참여했다.

 

새로운 폭스바겐의 로고는 기존 대비 더욱 선명하고 컬러풀해진 것이 특징이다. 특히 폭스바겐은 브랜드 역사상 처음으로 브랜드 문구를 대체할 사운드 로고가 도입될 예정이다. 광고에서도 수십 년 동안 사용해 온 남성의 음성 대신 따뜻한 느낌을 주는 여성의 음성이 사용된다.

 

 

폭스바겐은 이날 모터쇼에서 골프·비틀에 이어 브랜드의 새로운 대표차종이 될 순수 전기차‘ID. 3’도 세계 최초로 공개했다. 폭스바겐 최초의 전기차 전용 플랫폼으로 제작된 ID.3는 확장 가능한 배터리 시스템 적용해 최대 550km에 이르는 긴 주행거리를 확보했다.

 

독일을 시작으로 2020년 중반부터 전세계에 판매되는 ID. 3는 기본가격이 3만유로(약 4000만원) 이하로 책정돼 전기차 대중화를 이끌 예정이다. 정부 보조금 등의 혜택이 반영될 경우 기존 소형차들과 유사한 가격이 될 것이라는 게 폭스바겐의 설명이다. 폭스바겐은 ID.3를 앞세워 향후 3년 내에 총 33개의 전기차를 내놓을 방침이다.

 

토마스 울브리히 폭스바겐 E-모빌리티 담당은 "비틀과 골프가 첫 등장했던 것처럼 폭스바겐은 오는 11월 ID.3의 생산과 함께 완전히 새로운 시대를 맞이하게 된다"며 ”ID.3가 생산되는 츠비카우 공장은 e-모빌리티의 선구자 역할을 하게 될 것”라고 강조했다.

 

한편, ID.3가 만들어지는 독일 츠비카우 공장은 100% 내연기관 생산 공장에서 100% 전기차 생산공장으로 전환되는 최초의 사례다. 총 12억 유로(약 1조 6000억원)가 투자되는 전환 작업은 2020년 말까지 약 3년에 걸쳐 완료될 예정이다.

 

이에 따라 오는 2021년부터는 폭스바겐그룹 3개 브랜드의 전기차 6종이 츠비카우 공장에서 생산된다. 연간 생산량은 33만대에 달하는 츠비카우 공장은 유럽 최대의 전기차 공장으로 자리매김할 것으로 기대된다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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