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이재용 부회장, 대법 판결 후 첫 행보...“새로운 기술 철저하게 준비하자”

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Wednesday, September 11, 2019, 14:09:01

11일 서울 R&D캠퍼스 찾아 차세대 기술전략 논의..“불확실성 클수록 할 일 흔들림없이 하자”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 2주 만에 현장경영에 나섰다. 지난달 28일 대법원의 2심 파기환송 판결이 난 이후 첫 행보다.

 

이재용 삼성전자 부회장은 11일 삼성전자 서울R&D캠퍼스에 위치한 삼성리서치를 찾아 삼성전자 세트부문의 차세대 기술전략을 세웠다.

 

이 부회장은 이날 삼성리서치의 주요 연구과제 진행 현황을 보고 받고, ▲차세대 통신기술 ▲인공지능(AI) ▲차세대 디스플레이 ▲로봇 ▲AR(증강현실) 등 선행기술 전략에 대해 중점적으로 논의했다.

 

삼성리서치는 삼성전자 세트부문의 통합 연구 조직이다. 세계 14개 연구거점에서 1만여명의 연구개발 인력들이 AI, IoT 등 미래 신기술 및 소프트웨어와 하드웨어의 융복합 기술 등 4차 산업혁명 기반기술에 대한 선행 연구를 진행하고 있다.

 

이 자리에는 김현석 삼성전자 대표이사 사장(삼성리서치 연구소장), 노희찬 경영지원실장 사장, 한종희 영상디스플레이사업부장 사장, 노태문 무선사업부 개발실장 사장, 조승환 삼성리서치 부사장, 전경훈 네트워크사업부장 부사장 등이 참석했다.

 

이날 이재용 부회장은 “오늘의 삼성은 과거에는 불가능해 보였던 미래였다”며 끊임없이 도전할 것을 주문했다. 그는 이어 “불확실성이 클수록 우리가 해야 할 일을 흔들림없이 하자”면서 “지금까지 없었던 새로운 기술로 새로운 미래를 만들고, 철저하게 준비하고 끊임없이 도전해 꼭 해내야 한다”고 당부했다.

 

이 부회장이 AI와 차세대 통신 등 미래 선행기술의 글로벌 R&D 허브인 ‘삼성리서치’를 찾은 것은 과거의 성공에 안주하지 않고 미래를 선도하기 위한 강도 높은 혁신을 지속하겠다는 방침을 제시한 것으로 해석됐다.

 

삼성은 지난해 AI, 5G, 전장용 반도체 등을 미래 성장사업으로 선정하고, 약 25조원을 투자해 육성하겠다는 방침을 밝힌 바 있다. 특히, 삼성전자는 4차 산업혁명의 핵심 기술인 AI 분야의 역량을 강화하기 위해 지난해까지 한국, 미국, 영국, 러시아, 캐나다 등 5개국에 AI 연구센터를 설립했다.

 

또한, 세바스찬 승 교수(미 프린스턴大), 위구연 교수(하버드大), 다니엘 리 교수(코넬工大) 등 세계적인 석학을 영입한 데 이어 글로벌 선진 연구자들과의 오픈 이노베이션도 병행하는 등 AI 역량 확보에 박차를 가하고 있다.

 

이재용 부회장은 2018년 경영 활동을 재개한 직후부터 유럽, 북미 등으로 출장을 다니며 글로벌 석학들을 만나 4차 산업혁명으로 인한 사회의 변화상과 미래 기술에 대한 의견을 나누고, 핵심인재 영입에도 직접 나서고 있다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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