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제51회 한일경제인회의 개최...‘소통·협력·관계 회복’ 강조

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Tuesday, September 24, 2019, 16:09:39

민관합동회의로 롯데호텔서울에서 이틀 간 진행..양국 경제인 300명 가량 참석

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ한국과 일본의 최고경영자들이 한 자리에 모여 양국 간 경제협력 증진 방안에 대해 논의하는 ‘제51회 한일경제인회의’가 오늘(24일)부터 이틀 간 개최된다.

 

행사 주최측은 24일 서울 중구 소공동 롯데호텔에서 개회식이 진행됐다고 밝혔다. 한일경제인회의는 한일경제협회(회장 김윤·삼양홀딩스 회장)와 일한경제협회(회장 사사키 미키오·미쓰비시상사 특별고문)가 공동주최로 진행되는 민관합동회의다.

 

지난 1969년 첫 회의를 개최한 이래 지금까지 한 번도 거르지 않고 개최됐으며, 올해는 회의와 함께 양국 간의 산업기술협력을 촉진하기 위한 한일산업·기술협력재단이 주관 ‘한일산업기술페어 2019’ 행사도 열린다.

 

주최측은 “최근 한일관계가 매우 어려운 상황에 직면하고 있는 가운데, 이번 회의에서는 ‘급변하는 세계경제 속의 한일협력’을 주제로, 새로운 50년의 한일협력방안에 대해 논의한다”고 설명했다.

 

한국 측 단장인 김윤 한일경제협회 회장은 “한일 양국은 숙명적 이웃으로서, 서로를 더욱 깊이 이해하고 세계시장에서 선의로 경쟁하면서, 최대한의 협력을 통해 공존공영해야만 한다”고 강조하고 “저출산 고령화, 구인난과 취업난 등 공통 해결과제가 산적해 있기에 소통과 협력이 절실하다”고 덧붙였다.

 

일본 측 단장인 사사키 미키오 일한경제협회 회장은 “경제와 정치·외교가 자동차의 두 바퀴라는 것, 그리고 양국 간에 정치·외교 관계의 복원이 꼭 필요하다는 것을 다시 한번 절감한다”며 호혜적인 경제관계의 유지·발전방안으로, ▲한일 양국의 제3국 협업 ▲인재·문화교류 ▲차세대 네트워크·지역교류 활성화 ▲올림픽 성공 협력 등을 제언했다.

 

이번 회의에 한국 측에서는 김윤 한일경제협회 회장·삼양홀딩스 회장을 단장으로 유명희 산업통상자원부 통상교섭본부장(축사), 손경식 한국경영자총협회 회장(기조연설), 유명환 전 외교통상부 장관(특별강연), 이수훈 전 주일한국대사(한일관계 주제발표), 류진 풍산그룹 회장, 윤부근 삼성전자 부회장, 손봉락 TCC스틸 회장, 이휘령 세아제강 부회장, 조용병 신한금융지주 회장, 우기홍 대한항공 부사장, 정탁 포스코 부사장 등 203명이 참석했다.

 

일본 측에서는 사사키 미키오 일한경제협회 회장·미쓰비시상사 특별고문을 단장으로 나가미네 야스마사 주한일본대사(축사), 고가 노부유키 부회장(기조연설/노무라홀딩스), 아소 유타까 부회장(신산업 보고/아소시멘트), 오카 모토유키 부회장(스미토모상사), 우에다 카츠히로 부회장(오오가키정공), 이미즈 하루히로 부회장(일간공업신문), 이케다 마사키 부회장(호텔오쿠라), 도쿠라 마사카즈 부회장(스미토모화학), 무라카미 노부히코 부회장(도요타자동차) 등 102명이 참석했다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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