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우리은행, 26일 만기 DLF ‘전액 손실’ 확정

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Wednesday, September 25, 2019, 16:09:06

1억원 투자해 192만원만 건져...하나은행도 46% 손실

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ오는 26일 만기인 우리은행에서 판매한 독일 국채금리 연계 파생결합편드(DLF)가 처음으로 원금 전액 손실이 확정됐다.

 

25일 금융권에 따르면 26일 만기인 우리은행 3회차 DLF의 최종 손실률이 -98.1%로 확정됐다. 이 상품은 4개월 초단기 만기로 독일 국채 10년물 금리가 -0.3% 이상을 유지하면 수익을 내지만 그 이하로 내려가면 원금손실, -0.6% 아래로 떨어지면 원금 전액 손실이 발생하는 구조다.

 

원래 100%의 원금 손실이 났지만 쿠폰금리 수익금 1.4%에 반환되는 운용수수료 0.5%가 반영돼 계산된 것이다. 예컨대 1억원을 투자했다면 원금 대부분을 날리고 192만원만 손에 쥔다는 얘기다. 해당상품의 판매잔액은 83억원 가량으로 집계됐다.

 

상품은 지난 5월 17∼23일 판매됐다. 독일 국채 10년물 금리는 이미 3월에 마이너스로 떨어졌다. 지난 19일 첫 만기를 맞은 DLF의 원금 손실률은 60.1%였으나 24일 만기 DLF는 손실률이 63.2%로 확대됐다. 독일 국채금리 하락세가 이어지며 추가적인 손실이 불가피할 것으로 보인다. 다음 달 초에도 우리은행 DLF의 만기 도래가 예정돼있다.

 

한편 이날 하나은행은 DLF 첫 만기가 돌아왔다. 영국과 미국 이자율스와프(CMS) 금리와 연계한 파생결합증권(DLS)에 투자하는 '메리츠금리연계AC형리자드전문사모증권투자신탁37호(DLS-파생형)'의 손실률이 46.1%로 확정됐다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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