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롯데, 627억 규모 오픈이노베이션 펀드 조성

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Monday, September 30, 2019, 09:09:57

8개 계열사·KDB산업은행 출자 참여..유통·물류 분야 집중 투자

 

인더뉴스 정재혁 기자ㅣ롯데그룹이 스타트업 투자 규모를 확대한다.

 

롯데는 627억원 규모의 신기술사업투자조합 ‘롯데-KDB 오픈이노베이션 펀드’를 조성했다고 30일 밝혔다. 이번 투자조합은 롯데의 스타트업 투자법인인 롯데액셀러레이터 설립 이래 가장 큰 규모다.

 

이번 펀드출자에는 롯데쇼핑, 롯데GRS, 롯데하이마트, 롯데홈쇼핑, 코리아세븐, 롯데면세점, 롯데글로벌로지스, 롯데정보통신, 롯데액셀러레이터 등 롯데그룹 계열사와 KDB산업은행이 참여했다. 롯데액셀러레이터가 외부 투자사와 함께 조합을 운용하는 것은 이번이 처음이다.

 

이번 펀드 결성으로 롯데액셀러레이터는 총 1000억원 규모의 운영자산을 달성하게 됐다. 지난해 6월 각각 272억원, 21억원 규모의 ‘롯데스타트업펀드1호’와 ‘롯데사내벤처펀드1호’를 조성한 데 이어 이번 펀드 결성으로 투자 범위가 기존 초기 투자에서 성장 궤도에 진입한 스타트업으로도 확대될 전망이다.

 

롯데는 이 펀드를 통해 롯데액셀러레이터의 초기 벤처 종합지원 프로그램인 ‘엘캠프(L-Camp)’에서 육성한 스타트업들을 선별해 후속 투자를 진행한다. 아울러 유통플랫폼, O2O, 물류 부문 등에서 유망한 스타트업을 발굴해 지원할 예정이다.

 

옴니채널 구축과 이커머스 경쟁력 강화 부분 등에 대규모 투자를 해 온 롯데는 해당 분야 육성을 위해 전문 펀드 조성이 필요하다고 판단해 이번 펀드 결성을 추진했다. 빠르게 변화하는 시장 환경에 대응하고, 우수한 스타트업에 선제적으로 투자하기 위해서다.

 

롯데는 투자와 더불어 롯데그룹의 광범위한 소비자 유통채널과 물류시스템을 연계해 다방면으로 스타트업 성장을 지원할 예정이다. 아시아, 유럽 등 해외에 진출해있는 그룹사를 통해 스타트업들의 글로벌 시장 진출도 돕는다는 계획이다.

 

또한, 롯데액셀러레이터는 이번 펀드뿐만 아니라 화학, 식음료, 문화 콘텐츠 분야에 집중하는 오픈이노베이션 펀드도 추가로 조성할 계획이다.

 

이진성 롯데액셀러레이터 대표는 “이번 재원 확보를 통해 우수한 스타트업을 적극적으로 발굴하고 투자함으로써 오픈이노베이션의 긍정적인 사례들을 꾸준히 만들어나갈 것”이라고 말했다.

 

한편 지난 2016년 2월 창업보육법인으로 설립된 롯데액셀러레이터는 지금까지 ‘엘캠프’ 1~5기 72개사, ‘엘캠프 부산’ 10개사 등을 비롯해 100개가 넘는 스타트업을 지원해왔다. 최근에는 엘캠프 6기의 선발을 완료하고 내달부터 본격적인 지원에 나설 계획이다.

 

신동빈 롯데그룹 회장도 지난 8월 이스라엘을 방문해 엘리 코헨 이스라엘 경제산업부 장관을 만나 이스라엘의 기업과 스타트업에 대한 투자 방안을 논의하며 스타트업에 대한 많은 관심을 보였다.

 

신 회장은 정부 관계자들과의 미팅에 이어 이스라엘의 대표적인 스타트업과 신기술 업체, 연구소 등을 잇달아 방문하며 롯데와의 시너지 창출과 벤치마킹 방안을 모색하기도 했다.

 

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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