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‘연체 채무자에 협상권 부여’... 금융위, 소비자신용법 제정 추진

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Tuesday, October 08, 2019, 11:10:49

연체 전 단계에 채무조정 협상 요구 가능..내년 1분기 내 개선안 발표 예정

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ 연체 채무자에게 금융사를 대상으로 채무조정 협상을 요청할 수 있는 권한을 주는 방안이 추진된다. 채무조정 과정에서 채무자 지원을 위한 채무조정 서비스업도 함께 도입된다.

 

금융위원회는 8일 정부서울청사에서 손병두 부위원장 주재로 개인연체채권 관리체계 개선 태스크포스(TF) 1차 회의를 열고 이런 내용 등을 담은 소비자신용법 제정 방향을 발표했다.

 

금융위는 과도한 추심 압박을 통한 회수 극대화 추구 관행을 시장 친화적인 채무상환으로 바꿔 나가기 위해 우선 채권자·채무자 간 채무조정을 활성화하기로 했다. 이를 위해 연체채무자가 채권자(금융사)에 채무조정 협상을 요청하는 경우 이에 응할 절차적 의무를 부과했다.

 

새 제도가 도입되면 채권자는 채무조정 협상 기간에 추심을 금지하는 등 협상에 성실하게 임해야 한다. 심사 결과를 일정 기간 내 통보할 의무도 지게 된다. 채무조정 여부·정도 등은 채권자와 채무자가 개별 사정을 감안해 자율적으로 협의·결정할 수 있다.

 

원활한 채무조정 협상 진행을 위해 채무자 편에서 채무조정 협상을 돕는 채무조정서비스업도 신규 도입한다. 채무조정서비스업은 미국 등 국가에서 이미 일반화된 업종이다. 90일 이상 개인연체채무자는 전체 금융채무자 약 1900만명 중 약 10%인 180만~190만명 수준이다. 금융당국은 이들이 직접 수혜 대상이 될 것으로 보고 있다.

 

금융위는 연체 이후 채무 부담의 과도한 증가를 막는 방한도 검토하기로 했다. 기한 이익 상실 이후 연체 부담이 끝없이 증가하는 연체 이자 부과방식을 바꾼다는 의미다. 소멸 시효를 기계적으로 연장하는 관행 역시 개편하기로 했다. '원칙 연장, 예외 완성' 관행을 '원칙 완성, 예외 연장'으로 바꾼다.

 

앞으로는 금융사들은 법원의 지급명령 절차를 통해 소멸시효를 10년씩 계속 연장할 수 있다. 현재 상사채권의 소멸시효는 5년으로 금융사들은 통상 연체 1년 후에는 부실채권을 상각 처리하고 추심업자들에게 매각한다. 이렇게 부실 채권을 매입한 추심업자들은 이미 상환능력을 상실한 채무자에게 더 가혹한 추심을 하는 경우가 많았다.

 

채권추심 시장의 규율도 강화하기로 했다. 추심위탁이나 채권매각 이후에도 원래 채권 보유 금융사가 관리 책임을 지속적으로 지기로 했다. 금융위는 이번 TF 논의 결과를 토대로 내년 1분기 중 금융권 개인연체채권 관리체계 개선 및 소비자신용법 제정방안을 발표할 예정이다.

 

이번에는 기본방향만 밝힌 것이고 세부방안은 내년 1분기에 마련한다. 현재 대출계약 체결 부문에 집중된 대부업법에 연체 후 추심·채무조정, 상환·소멸시효 완성 등 내용까지 추가한 개념이 소비자신용법이다. 금융위는 이 법안을 2021년 하반기에 시행한다는 목표를 세워두고 있다.

 

손 부위원장은 “국가 경제 발전 수준과 금융산업의 성숙도를 고려할 때 이제 우리도 포괄적인 소비자신용법제의 틀을 완성할 필요가 있다”며 “이는 약자로서 채무자에 대한 일방적인 보호규범이 아니라 채권자와 채무자간 상생(win-win)을 위한 공정한 규칙으로서 사회 전체적인 비용을 절감하는 시도”라고 말했다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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