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유성기업 노조 “‘노조파괴’ 현대車 임직원 집행유예는 솜방망이 처벌”

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Sunday, October 13, 2019, 12:10:00

현대차 임직원 4명, 1심에서 징역형에 집행유예 선고받아..“의미는 있지만 처벌 수위 낮다”

 

인더뉴스 정재혁 기자ㅣ현대자동차 임직원 4명이 협력사인 유성기업의 노조파괴에 개입한 혐의로 지난 8월 징역형에 집행유예를 선고받았다. 대기업인 원청업체가 협력사의 노사관계에 개입한 부당노동행위에 대해 처음으로 죄를 인정했다는 점에서 의미가 있지만, 처벌 수위 낮다는 지적이 나온다.

 

대전지법 천안지원 형사3단독(2017고단1027)은 지난 8월 22일에 열린 선고 공판에서 최재현(현대차 구매본부 구동부품개발실 실장) 씨에게 징역 1년·집행유예 2년, 황승필(엔진부품개발팀장)·강규원(엔진부풀개발팀 차장) 씨에게 각각 징역 8월·집행유예 2년, 권우철(엔진부품개발팀 대리)씨에게 징역 6월·집행유예 2년을 선고했다.

 

현대차의 노조파괴 개입 정황은 지난 2016년 1월에 밝혀진 유성기업 압수수색 문건으로 확인됐다. 노조는 이에 대해 현대차와 임직원들의 책임을 묻기 위해 즉각 고소했지만, 검찰(대전지방검찰청 천안지청)은 2017년 5월 19일에야 비로소 이들 4명을 노조법 위반 혐의로 불구속 기소했다.

 

최 씨 등 현대차 직원들은 2011년 7월 유성기업에 제2노조가 설립된 이후 그해 9월부터 이듬해 2월까지 회사로부터 노조 운영 상황을 보고받았다. 특히, 제2노조 조합원 확대 목표치까지 구체적으로 제시하면서 노조파괴에 적극 개입했다.

 

또한, 2011년 9월에는 서울 양재동 현대차 본사 10층 회의실에서 유성기업, 창조컨설팅(노무 자문사) 관계자들과 함께 노조 관련 회의를 진행하기도 했다. 이러한 내용들은 검찰 기소 당시 공소장에 상세히 나와있다.

 

현대차와 같은 대기업이 협력사의 노조 파괴에 개입한 혐의로 기소당하고 관련자가 징역형을 받은 것은 처음 있는 일이다. 노조 측은 “의미 있는 일”이라고 평가하면서도 “처벌이 지나치게 가볍다”고 말한다.

 

김성민 유성기업 영동지회 사무장은 “검찰이 대기업 봐주기를 하다가 정권 교체 후 늦장기소를 했고, 법원도 ‘솜방망이 처벌’에 그쳤다”고 말했다.

 

특히, 김 사무장은 현대차가 2011년~2012년 사이 노조파괴를 위한 자금을 회사에 지원하기 위해 제품 납품단가를 비정상적으로 높였다는 의혹도 제기했다.

 

노조 측 자료에 따르면, 제2노조 설립 전인 2010년과 설립 후인 2012년 사이 실린더라이너·피스톤링 납품가 인상률이 각각 22%·21%에 달했다. 이에 따라 당기순익증가율도 58% 급증했는데, 이러한 인상률은 일반적인 납품가 협상 방식으로 볼 때 비상식적이란 입장이다.

 

김 사무장은 “수 십, 수 백 억원에 달하는 노조파괴 비용을 현대차에서 납품단가 인상을 통해 간접 지원한 것으로 보고 있다”며 “이것이야말로 현대차가 노조파괴에 개입한 결정적인 증거”라고 말했다.

 

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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