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삼성SDI, ESS 안전성 종합 대책 마련...이달 중 국내 조치 완료

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Monday, October 14, 2019, 10:10:41

서울 중구 태평로빌딩 간담회..자체 개발 ESS 화재 대책 설명

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ삼성SDI가 ESS 안전성 강화에 나선다. 화재 확산을 차단하는 기술로 최근 빈번한 화재로 위축된 ESS 산업계를 활성화한다는 계획이다.

 

삼성SDI는 14일 서울 중구 태평로빌딩에서 기자간담회를 열고 에너지 저장 장치(ESS·Energy Storage System) 화재를 예방할 ‘안전성 종합 대책’을 소개했다고 이날 밝혔다. 삼성SDI는 지난 1년 동안 국내 전체 사이트에 이를 적용해왔으며 이달 중 마무리될 예정이다.

 

ESS는 에너지를 저장하는 저장창고 역할을 하는 장치다. 전력을 저장했다 필요할 때 공급해 이용 효율을 높여준다. 전기요금이 저렴한 시간에 전력과 신재생 에너지를 쓰고 남는 전력을 저장해뒀다가 필요할 때 사용할 수 있다.

 

 

하지만 지난해 5월부터 ESS 화재 사고가 빈번히 발생하며 안정강화 대책이 요구됐다. 지난 6월 산업통상자원부가 발표한 ESS 화재 사고 원인조사 결과에 따르면 주요 사고 원인은 ▲전기적 충격에 대한 보호 시스템 미흡 ▲운영환경 관리 미흡 ▲설치 부주의 ▲통합제어·보호 체계 미흡 등이었다. 정부는 배터리 결함이 화재 원인은 아니라는 입장이다.

 

삼성SDI는 “비록 자사 배터리가 화재 원인은 아닌 것으로 밝혀졌지만 최고경영진이 강력히 추진해 이번 고강도 안전 대책을 마련했다”며 “이미 운영하는 국내 전체 사이트에 적용되는 안전성 종합 대책 관련 비용은 자체 부담하기로 했다”고 말했다.

 

현재 추진하고 있는 조치는 ▲외부 전기적 충격으로부터 배터리를 보호하는 3단계 안전장치 ▲배터리 운송이나 취급 과정에서 충격 여부를 확인할 수 있는 센서 ▲ESS 설치·시공상태 감리 강화와 시공업체 정기교육 ▲배터리 이상 신호 감지해 운전 정지 등 조치를 하는 펌웨어 업그레이드 등이다.

 

특히 ESS 시스템 내부에서 문제가 발생해도 배터리에서는 화재가 발생하지 않도록 하는 ESS 시스템 안전성 강화가 핵심이다.

 

이에 더해 ESS 시스템에서 발생한 화재가 확산하는 것을 막는 특수 소화 시스템을 개발했다. 이 시스템은 특정 셀이 발화하더라도 바로 소화하고 불이 인근 셀로 옮겨붙는 것을 차단한다. 삼성SDI는 새로 판매되는 시스템에 이를 전면 도입하고 있으며 이미 설치된 국내 전체 사이트에도 적용할 계획이다.

 

삼성SDI에 따르면 특수 소화시스템은 미국 국제 인증 기관인 UL 테스트 기준을 만족했다. 회사는 “미국 등 선진국에서 도입되고 있는 화재 확산 방지 시스템을 국내 ESS 사이트에 적용하는 건 이번이 처음”이라며 “앞으로 ESS 사이트 화재 예방에 큰 역할을 할 것”이라고 말했다.

 

전영현 삼성SDI 사장은 “ESS 화재 원인에 관계없이 선제적 조처를 하는 것이 글로벌 리딩 업체로서 책무”라며 “이번 조치를 계기로 국내 ESS 산업이 신뢰를 회복하기를 바란다”고 말했다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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