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[기자수첩] CJ그룹 장남 이선호 씨의 ‘반성문’

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Thursday, October 24, 2019, 21:10:59

이씨, ‘대마 흡입·밀반입’ 혐의에도 집행유예..‘법 앞에 평등’ 사회 정의 구현돼야

 

인더뉴스 정재혁 기자ㅣ재벌의 반성문은 뭐가 달라도 다른 모양이다.

 

지난 24일, 인천지법 형사12부(송현경 부장판사)는 1심 선고공판에서 마약류관리에관한법률 위반 혐의로 기소된 CJ그룹 이재현 회장 장남 이선호 씨에게 징역 3년, 집행유예 4년을 선고했다. 추징금은 2만 7000원.

 

재판부는 피고인 이씨의 유죄를 모두 인정하면서도 ▲범죄 전력이 없다는 점 ▲밀반입한 대마가 실제 사용되지 않았다는 점 ▲잘못을 뉘우치고 있다는 점 등을 고려해 형 집행 정지를 선고한다고 말했다.

 

특히, ‘잘못을 뉘우치고 있다는 점’에 대해서는 이씨가 제출한 ‘반성문’의 내용이 집행유예 선고에 지대한 영향을 미친 것으로 보인다.

 

재판부는 “반성문 내용처럼 ‘다시는 이러지 않겠다’는 자신의 약속을 지켜 뒤늦은 후회를 하지 않기를 바란다”고 말했다. 이씨의 반성문에는 과연 어떤 내용이 적혀 있었을까.

 

정확한 내용은 알 수 없지만, 대략적으로 유추해 볼 수는 있다. 이씨 변호인은 지난 7일 열린 공판에서 피고인이 유학 중 교통사고를 당했고, 치료 과정에서 유전병이 발현해 심각한 육체적 고통을 겪었다는 점을 언급했다.

 

이씨 변호인에 따르면, 이씨는 이러한 고난을 이겨내고 자신을 강하게 만들겠다는 의지를 유학 시절 에세이로 밝혔다고 한다. 변호인은 이씨에 대해 “순수한 청년”이라고 덧붙였다.

 

아울러, 이씨 변호인은 이씨의 아내가 현재 만삭이라는 점을 강조했다. 이씨가 매일 만삭 부인과 곧 태어날 아이에게 잘못을 참회하고 있기 때문에, 이런 점을 정상참작해 줄 것을 재판부에 호소했다. 반성문에는 아마 이러한 내용들이 담겨있지 않았을까 싶다.

 

법 앞에 만인은 평등하다고 한다. 범죄를 저지른 많은 사람들은 저마다 각자의 사정이 있다. 생계가 곤란해 편의점에서 빵 하나 훔쳤어도 범죄는 범죄이기 때문에 처벌을 받아야 마땅하며, 그것이 우리 사회의 정의다.

 

이씨의 딱한 사정을 이해 못 하는 바는 아니다. 다만, 재벌가인 이씨보다 더 딱한 사정에 처한 범죄자들은 얼마든지 찾아볼 수 있다. 재판부가 과연 이런 사람들을 이씨와 똑같은 잣대로 평가하고 있는지는 의문이다.

 

검찰은 지난 7일 공판에서 피고인 이씨에 징역 5년형을 구형했다. 이는 검찰이 이씨의 죄질을 심각하게 봤다는 뜻이다. 검찰이 항소해 우리 사회에 정의가 살아있다는 것을 증명해 주길 바란다.

 

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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