검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

ICT 정보통신

SK텔레콤-삼성전자, 5G 고도화 및 6G 개발 업무협약 체결

URL복사

Tuesday, June 18, 2019, 11:06:21

5G 고도화·6G 진화 기술 공동 연구 추진 위해 MOU 맺어
“최고 수준 5G 서비스 제공 위해 전방위적 협력할 것”

 

[인더뉴스 권지영 기자] 세계 최초 5G 상용화에 성공한 SK텔레콤과 삼성전자가 5G 고도화 및 6G로의 진화를 위한 협력을 약속했다. 

 

18일 SK텔레콤(대표이사 사장 박정호)에 따르면 지난 17일 삼성전자와 경기도 분당 SK텔레콤 ICT기술센터에서 5G 고도화 및 6G 진화 기술 공동 연구 추진을 위한 업무협약을 맺었다.

 

먼저 SK텔레콤과 삼성전자는 5G 기술의 고도화를 위해 적극 협력할 계획이다. 두 회사는 ▲28GHz 차별화 ▲초고신뢰∙저지연 통신(Ultra Reliable and Low Latency, URLLC) ▲자율주행차량 및 드론용 V2X(Vehicle-to-Everything) 통신 ▲5G SA(Stand-Alone) 망 진화 ▲다중 안테나 기술 고도화(MIMO Enhancement) ▲5G 인빌딩 솔루션 연구와 상용화에 나선다.   

 

또한 SK텔레콤과 삼성전자는 고객에게 최고의 5G 서비스를 제공하기 위해 상용 서비스 출시 관련 전방위적 협력을 약속했다. 두 회사는 5G 관련 ▲네트워크 기술 ▲혁신적인 단말과 소프트웨어 ▲스마트 솔루션의 공동 개발과 상용화에 나선다.

 

SK텔레콤과 삼성전자는 5G를 넘어 6G 전반에 대한 공동 R&D 추진도 나선다. 두 회사는 긴밀한 협의를 통해 6G 기술 요구사항을 도출하고 주요 기술을 발굴∙개발하는 한편, 6G를 활용한 신규 사업 모델도 공동으로 연구하기로 했다. 

 

이번 협약으로 SK텔레콤은 LTE, 5G에서 긴밀하게 협력해온 삼성전자, 노키아, 에릭슨 주요 장비 3사 모두와 5G 고도화 및 6G 진화 기술 공동 연구에 대한 협약을 맺게 됐다. 

 

박진효 SK텔레콤 ICT기술센터장(CTO)은 “이번 협약이 SK텔레콤과 삼성전자의 글로벌 5G 리더십 강화의 계기가 되기를 기대한다“며 “SK텔레콤은 파트너사와의 긴밀한 협력을 바탕으로 세계 최고의 5G 품질 확보 및 향후 6G 이동통신 기술의 진화에도 앞장 설 것”이라고 말했다.

 

전재호 삼성전자 네트워크사업부 개발팀장은 “현재 상용화된 5G의 망 최적화와 고도화에 부족함이 없도록 SK텔레콤과 지속 협력할 것“이며 “SK텔레콤과의 개발 협력을 통해 5G에 더하여 향후 펼쳐질 6G 시대를 함께 열어갈 것“이라고 말했다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


배너


배너