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한은, 기준금리 1.25%로 동결...“금리인하 효과 지켜본다”

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Friday, November 29, 2019, 11:11:26

올해 마지막 금통위 개최..저물가·저성장 여전하지만 추가 인하는 부담

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ한국은행 금융통화위원회(금통위)가 기준금리를 현재 수준인 연 1.25%로 동결했습니다.

 

한국은행은 29일 오전 서울 중구 한은 본관에서 올해 마지막 금통위 회의를 열고 기준금리를 현행 연 1.25%로 유지하기로 했다고 밝혔습니다. 앞서 금통위는 직전 회의인 지난달 16일 기준금리를 연 1.50%에서 역대 최저인 연 1.25%로 인하했습니다.

 

이번 금리동결은 시장에서 예상된 결과였습니다. 금융투자협회가 지난 14∼20일 채권 관련 종사자 200명을 대상으로 설문 조사한 결과 응답한 100명 가운데 99%가 이달 금리 동결을 예상했습니다.

 

금통위도 지난달 금리 인하 결정 직후 낸 통화정책방향 결정문에서 “두 차례 기준금리 인하의 효과를 지켜보면서 완화 정도를 판단해 나갈 것”이라고 밝혀 이같은 예상을 뒷받침했습니다.

 

미·중 무역분쟁의 불확실성으로 세계 교역이 위축되고 국내적으로도 수출과 투자 부진에 따른 성장세 둔화가 이어지자 한은은 이에 대한 대응 차원에서 지난 7월과 10월 0.25%포인트씩 기준금리를 총 0.50%포인트 인하한 바 있습니다.

 

7월 기준금리를 내리면서 한은은 올해 한국경제가 2.2% 성장을 나타낼 것이라 전망했지만, 현재로선 성장률이 2%에 못 미칠 수도 있다는 전망이 나오고 있습니다.

 

소비자물가 상승률은 10월 0%를 나타내 한은의 물가 안정 목표(2%)를 크게 밑돌았습니다. 다만, 8∼9월 마이너스(-) 물가 상승률로 촉발됐던 디플레이션 우려는 다소 잦아든 분위기입니다.

 

금융시장에선 경기 회복세가 계속 지연될 경우 한은이 내년 상반기 중 추가로 금리 인하에 나설 수 있다는 예측이 여전히 나오고 있습니다.

 

다만 기준금리를 한 차례(0.25%포인트) 더 낮추면 금리가 연 1.0%에 도달해 '곧 제로금리까지 가는 것 아니냐'는 전망을 키울 수 있다는 게 한은으로선 부담입니다. 추가 인하로 얻을 수 있는 효과보다 부동산 시장 과열, 외국 자본 유출 등의 부작용이 더 클 것이라는 지적도 나오고 있습니다.

 

금통위는 내년 상반기에 총 4차례(1, 2, 4, 5월)의 통화정책방향 결정회의를 열 예정입니다. 이 총재와 윤면식 부총재를 제외한 5명의 금통위원 중 4명의 임기가 내년 4월에 만료된다는 점이 추가 금리 인하 결정의 주요 변수로 작용할 전망입니다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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