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SK건설, 비즈파트너와 기술경진대회 개최...‘동반성장 강화’

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Tuesday, December 03, 2019, 13:12:53

지하주차장 지능형통합시스템 등 원가절감과 공기단축에 획기적인 기술 발굴
SK건설, 비즈파트너와 고성능 차음창·개량 CIP공법 등 지속적인 공동개발 추진

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ SK건설이 비즈파트너와 함께 기술경진대회를 열고 공동 기술개발을 진행하는 등 기술협력을 통한 동반성장을 강화하고 있습니다.

 

SK건설이 지난 2일 ‘2019년 비즈파트너 대상 기술경진대회’ 최종 수상작을 발표했다고 3일 밝혔습니다. 이번 대회에는 27개 비즈파트너가 참여해 건축기술과 기전기술 관련 총 52개 아이템을 제안했으며, 이 중 3건이 우수 기술로 최종 선정됐습니다.

 

SK건설은 지난해 처음 비즈파트너 대상 기술경진대회를 열었으며, 올해가 2회째 대회입니다. 선정된 우수 기술은 실제 SK건설이 수행하는 프로젝트에 적용할 계획입니다.

 

이번대회 수상작 중 최고점을 기록한 삼언전공의 지하주차장 지능형통합시스템은 심사위원들의 호평을 받았습니다. 이 시스템은 기존 지하주차장에 개별로 설치했던 조명기구, CCTV, 주차공간확인시스템, 비상방송 등을 통합형 모듈 기구에 단순화시킨 시스템입니다.

 

SK건설 관계자는 “공기단축과 원가절감의 효과는 물론 주차장 개방감 확보와 심미적 효과도 뛰어나 고객 만족도를 획기적으로 높일 수 있을 것”이라고 평가했습니다.

 

SK건설은 비즈파트너와 공동 기술개발도 지속적으로 추진하고 있습니다. SK건설은 올해 대신시스템, 장평건설과 각각 기술개발 MOU를 체결했습니다. SK건설은 창호 자재 생산·조립가공 전문업체인 대신 시스템과 함께 소음이 큰 대로와 철로 주변 아파트, 오피스텔 등에 사용되는 고성능 차음창을 개발 중입니다.

 

기존 창보다 차음 성능은 10% 이상 높이고, 원가는 15% 이상 절감하는 것을 목표로 하고 있으며, 이르면 내년 하반기 중 개발을 마치고 양산체제에 돌입할 것으로 보입니다.

 

또한, SK건설은 토목공사 전문업체인 장평건설과는 개량 CIP공법을 공동으로 개발하고 있다. 이 공법은 기존 CIP공법(콘크리트 말뚝을 주열식으로 시공해 흙막이 벽체를 형성하는 공법)보다 공사비가 5% 가량 절감되고, 공기도 5% 이상 앞당길 수 있을 것으로 보입니다.

 

이 신공법 개발에는 신세계건설, 삼보토건, 한국기술개발도 참여하고 있으며, 개발이 완료되면 5개사가 공동으로 특허 출원 및 신기술 지정도 진행할 계획입니다.

 

김관용 SK건설 토건조달실장은 “비즈파트너와 함께 확보한 우수한 기술을 실제 프로젝트에 적용하며 SK건설의 경쟁력을 높여나가고 있다”며 “앞으로도 비즈파트너와의 기술협력을 통해 동반성장을 강화해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

한편, SK건설은 2011년 우수 비즈파트너 협의체인 행복날개협의회를 발족해 금융 및 기술개발 지원, 대금지급조건 개선, 교육훈련 등의 동반성장 방안을 꾸준히 실천하고 있습니다.

 

이런 노력에 힘입어 SK건설은 지난 6월 동반성장위원회가 주관하는 동반성장지수 평가에서 건설업계를 통틀어 유일하게 3년 연속 최우수 등급을 받아 ‘2019년 최우수 명예기업’으로 선정됐습니다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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