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삼성SDI, 내년 중대형전지 적자폭 감소 등 실적 개선 전망…‘매수’-DB

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Wednesday, December 04, 2019, 08:12:31

인더뉴스 김현우 기자ㅣ DB금융투자는 4일 삼성SDI(006400)에 대해 내년 EV용 배터리 사업에 큰 변화가 예상되고 중대형전지 적자가 대폭 줄어들면서 실적이 개선될 것이라며 목표주가 30만원, 투자의견 ‘매수’를 유지했습니다.

 

권성률 DB금융투자 연구원은 내년 영업이익이 8520억원으로 전년(4705억원)보다 크게 개선될 것으로 전망했습니다.

 

그는 “올해 하반기에 나온 고객사 전기차 신모델이 내년에 연간으로 반영되고 헝가리 생산 비중이 늘면서 원가 절감이 가능하다”며 “내년에는 매출액이 50% 증가하면서 규모의 경제 효과가 기대된다”고 설명했습니다.

 

이어 “EV용 배터리는 내년 4분기에 흑자 전환이 가능해 보이고 ESS는 소폭 성장에 그치지만 올해에 반영된 일회성 비용이 줄어들면서 손익 개선이 가능하다”며 “원통형전지의 재고조정, 중대형전지의 계절적인 매출 감소가 예상되는 내년 1분기를 완만하게 시작한 후 2분기부터 개선세를 보일 것”이라고 진단했습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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