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[코스피 마감] 무역갈등 우려 재부상에 이틀째 하락

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Wednesday, December 04, 2019, 16:12:09

인더뉴스 김현우 기자ㅣ코스피가 하락 마감했습니다. 트럼프 미국 대통령이 미중 무역협상 연기 가능성을 언급한 데 따른 결과로 풀이됩니다.

 

4일 코스피 지수는 전 거래일보다 15.18포인트(0.73%)가 떨어져 2068.89에 거래를 마쳤습니다. 지난 3일(현지시간) 트럼프 대통령이 미중 무역협상 합의에 데드라인은 없다고 발언하며 글로벌 증시는 하락하는 모습을 보였습니다.

 

서상영 키움증권 연구원은 “글로벌 증시 하락은 한국 증시에 부담이 된다”며 “한국 증시 상승 요인 중 하나였던 미중 무역협상 기대가 약화됐기 때문”이라고 설명했습니다.

 

해당 발언에 이어 트럼프는 “김정은 북한 국무위원장과 좋은 관계를 가지고 있다”면서도 “만약 버락 오바마 전 대통령이 여전히 백악관에 있었다면 북한과 미국이 전쟁을 벌였을 수도 있다”고 말했습니다. 그러면서 자신 역시 만약 무력을 사용해야 한다면 사용할 것이라고 언급했습니다.

 

노동길 NH투자증권 연구원은 “코스피 지수는 살얼음판을 걷고 있다”며 “연내 1단계 무역협상 합의는 사실상 무산됐고 여기에 지정학적 리스크가 부상할 조짐이 나타나고 있는 상황”이라고 진단했습니다.

 

수급적으로는 외국인이 홀로 3755억원 가량의 주식을 팔아치우며 지수 하락을 이끌었습니다. 개인과 기관은 각 3203억원, 313억원을 사들였습니다.

 

시가총액 상위 10개사는 하락 우위 흐름을 나타냈습니다. 특히 LG화학(051910)은 4% 이상 빠졌고 셀트리온(068270)이 2%, SK하이닉스(000660)이 1% 이상 하락률을 보이며 뒤를 이었습니다. 이밖에 삼성전자, 삼성전자우, 삼성바이오로직스, 신한지주 등이 약세였습니다. 반대로 NAVER, 현대차, 현대모비스는 상승 마감했습니다.

 

업종별로도 대부분 파란불을 켰습니다. 특히 종이목재는 2% 이상 빠졌고 화학, 비금속광물, 섬유의복, 의료정밀, 전기전자, 제조업, 통신업 등이 1% 이상 하락했습니다. 반면 전기가스업은 2% 가까이 올랐고 증권, 서비스업 등이 오름세로 마쳤습니다.

 

이날 거래량은 3억 3010만주, 거래대금은 4조 3696억원 가량을 기록했습니다. 상한가 1개를 포함해 201종목이 상승했고 하한가 없이 625종목이 하락했습니다. 보합에 머무른 종목은 81개였습니다.

 

한편 코스닥은 4.31포인트(0.68%)가 떨어져 625.27을 기록했습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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