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셀트리온, 美혈액학회서 ‘트룩시마’ 장기 임상 3상 결과 발표

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Monday, December 09, 2019, 10:12:18

리툭시맙 바이오시밀러 최초..여포성 림프종 환자 대상 유효성·안전성 입증
‘트룩시마’ 앞서 11월 美서 출시..“5조원 시장서 퍼스트 무버 효과 누릴 것”

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ셀트리온은 7일(현지시간)부터 미국 플로리다 올랜도에서 개최된 2019 미국혈액학회(ASH 2019; The American Society of Hematology)에서 자사의 ‘트룩시마’가 오리지널 의약품 ‘리툭산(성분 리툭시맙)’과 유사한 효능과 안전성을 나타냈다고 9일 밝혔습니다.

 

미국혈액학회는 혈액 관련 질병을 다루는 미국 의학계의 대표적인 학회로 전 세계 100여 개 국가에서 1만 7000 여명의 전문가들이 참석하고 있습니다.

 

트룩시마는 혈액암 치료용 항체 바이오시밀러입니다. 해당 연구는 혈액암의 일종인 여포성 림프종 환자(AFL; Advanced Follicular Lymphoma)를 대상으로 진행된 임상 3상 장기 추적 결과입니다.

 

셀트리온에 따르면 이번 연구는 AFL 환자 140명을 대상으로 각각 트룩시마와 리툭산을 투여해 임상을 진행됐으며, 40개월 중앙 추적 관찰 기간 결과 트룩시마의 전체 생존율(OS; Overall Survival) 및 무진행 생존율(PFS; Progress-Free Survival), 종양 진행 소요 기간(TTP; Time To Progressive)이 오리지널 의약품과 유사했다는 평입니다.

 

회사 측은 임상 결과, 트룩시마 및 리툭산 치료를 받은 환자들의 4년째 전체 생존율(OS) 추정값은 각각 88.0%·93.3%, 종양의 진행이나 사망 없이 환자가 생존할 확률을 뜻하는 무진행 생존율(PFS)은 각각 60.9%·54.7%, 무작위 배정부터 종양 진행 소요 기간을 뜻하는 종양 진행 소요 기간(TTP)은 각각 64.2%·60.9%였다고 발표했습니다.

 

혈액 종양 분야 전문가인 크리스티안 부스케(Christian Buske) 독일 울름 대학병원(Comprehensive Cancer Center Ulm) 혈액종양내과 교수는 “이번 임상은 리툭시맙 바이오시밀러의 장기 임상 결과를 최초로 발표하는 데 의미가 있다”고 말했습니다.

 

이어 “트룩시마와 오리지널 의약품 사이 장기 유효성과 안전성 유사성이 입증된만큼, 향후 트룩시마 처방에 대한 의사들의 신뢰가 한층 더 높아짐에 따라 처방 확대가 기대된다”고 덧붙였습니다.

 

셀트리온 관계자는 “이번 임상은 독일, 스페인, 러시아 등 유럽과 인도, 일본 등 아시아 지역 환자를 대상으로 40개월에 걸친 다국적 장기 임상이 진행됐다”며 “트룩시마의 효능과 안전성이 검증됐다는 것을 의미한다”고 설명했습니다.

 

이어 “이같은 독보적인 의학적 검증을 토대로 트룩시마는전세계 혈액암 환자의 의료 복지 향상은 물론 경제적 부담 완화에 크게 기여할 것”이라고 강조했습니다.

 

한편, 트룩시마는 지난달 세계 최대 의약품 시장인 미국에 북미 지역 유통 파트너사인 테바(TEVA)를 통해 정식 출시됐습니다.

 

셀트리온에 따르면 트룩시마는 연 5조원 규모의 미국 시장에 가장 먼저 진출한 리툭시맙 바이오시밀러로서, 이같은 ‘퍼스트 무버(First mover)’ 강점을 통해 미국 시장을 선점해 나간다는 계획입니다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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