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[인사] 대유위니아그룹

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Monday, December 09, 2019, 12:12:53

2020년 정기 임원 인사

인더뉴스 권지영 기자ㅣ대유위니아그룹이 2020년 정기 임원 인사를 9일 단행했습니다.

 

대유위니아그룹은 부사장 승진 5명, 전무 승진 3명 등 26명에 대한 인사를 발표했다. 이번 정기 임원인사는 2020년 1월 1일부로 시행됐는데요.

 

대유위니아그룹은 올해 창립 20주년을 맞이해 지난 7월 새로운 도약의 시작을 알렸고, 다가올 2020년 내부 발탁 임원 승진을 통해 ‘놀라운 도전으로 창조하는 미래’라는 비전 실현과 임직원들의 사기를 고취시키고자 이번 정기 임원 인사를 단행했습니다.

 

다음은 대유위니아그룹의 2019년 정기 임원 인사 명단입니다.

 

■ 위니아대우

 

◇ 부사장

 

▶(1급) 안병덕 ▶ (2급) 윤의창

 

◇ 전무

 

▶위대성 ▶ 장세훈

 

◇ 상무

 

▶서운석 ▶ 홍승부 ▶ 김정한 ▶ 이형진 ▶상무보 이종훈 ▶상무보 심규일

 

■ 위니아대우매뉴팩처링

 

◇ 부사장

 

▶(1급) 양원기

 

■ 위니아딤채

 

◇ 부사장

 

(2급) 최찬수

 

◇ 상무

 

▶김만석 ▶ 김석곤 ▶ 이춘도 ▶상무보 강종구 ▶상무보 김영팔

 

■ 위니아SLS

 

◇ 부사장

 

▶(1급) 백성식

 

◇ 전무

 

▶정한구

 

◇ 상무

 

▶김 준 ▶상무보 조한관

 

■ 대유에이텍

 

◇ 상무보

 

▶범형택

 

■ 대유에이피

 

◇ 상무

 

▶서종만 ▶상무보 송인건

 

■ 스마트저축은행

 

◇ 상무

 

이동석

 

■ 대유홀딩스

 

◇ 상무보

 

▶최광옥

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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