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이번주 차기 KT 회장 후보군 압축...11일 명단 공개 예정

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Monday, December 09, 2019, 16:12:10

KT 회장 지원자 37명 중 10명 내외로 줄여 회장후보심사위에 넘길 듯
이동면·오성목·구현모 등 내부 출신과 노준형·정동채 전 장관 등 유력 후보

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이번주 내로 KT 차기 회장이 1차로 추려질 예정입니다. KT 지배구조위원회가 오는 12일 차기 회장 후보자 명단을 공개할 전망인데요.

 

9일 KT 지배구조위에 따르면 이날 지배구조위 작업 결과를 이사회에 보고했습니다. 지배구조위는 향후 보완을 거쳐 오는 12일 이사회에 결과를 올릴 예정입니다. 지배구조위 측은 “당초 보고됐던 사항과 큰 수정은 없을 것이다”고 설명했습니다.

 

특히 이번 이사회 보고에서는 차기회장 후보자군 명단 공개에 대한 논의가 이뤄졌던 것으로 알려졌는데요. 지배구조위 측은 “오늘 후보자 명단 공개에 대한 논의가 있었다”며 “KT 지배구조위에서 작업한 결과와 후보자군 명단을 발표하기로 결정했다”고 말했습니다.

 

KT 지배구조위는 밀실인사, 깜깜이 인사 등의 논란을 피하기 위해 차기회장 후보자군 명단 공개를 검토해 왔습니다.

 

◇ 현직 KT 임원 7명..헤드헌팅 추천 9명 등 총 37명 적격성 평가

 

KT 지배구조위는 현직 KT 부사장 이상 후보자 7명, 헤드헌팅으로 추천된 9명, 지원서를 접수한 21명 등 총 37명의 후보자의 적격성을 평가했습니다.

 

현재 KT 내부에서 이동면 미래플랫폼사업부문장, 구현모 미디어부문장, 오성목 네트워크부문장 등이 유력 후보군으로 꼽힙니다. 전직 KT 인사 중에선 임헌문 전 매스총괄 사장·김태호 전 IT기획실장 등이 거론됩니다. 여기에 노준형 전 정보통신부 장관, 정동채 전 문화관광부 장관 등도 유력 후보자에 올랐습니다.

 

업계에서는 37명 가운데 5~10명의 후보자로 압축해 회장후보심사위원회에 넘길 것으로 전망하고 있는데요. 지배구조위 측은 후보자 압축 규모는 정해지지 않았다는 방침입니다.

 

이후 회장후보 심사위원회가 넘겨받아 후보자군을 추가로 2~3명으로 압축한 뒤 이사회가 최종 1인을 선정해 내년 3월 주주총회에 추천합니다. 회장후보 심사위는 8명의 사외이사와 1명의 사내이사로 구성됩니다.

 

올해 가기 전에 차기 회장 윤곽이 나올 예정입니다. 지배구조위 측은 “연내 이사회에서 최종 후보 1명을 선발하도록 진행할 예정”이라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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