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[12·16 대책] 종부세 높이고 다주택자 6개월간 양도세 완화...‘주택 처분 유도’

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Monday, December 16, 2019, 17:12:10

다주택자·조정대상지역 2주택 보유자 세율 최대 0.8% 포인트 인상...시가 15억 초과 아파트 주담대 금지
내년 6월까지 다주택자 조정대상지역 내 장기 보유 주택 팔면 양도세 중과 배제·장기보유특별공제 적용

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 정부가 고가주택에 대한 종합부동산세와 주택담보대출 규제를 강화합니다. 동시에 조정대상지역 다주택자가 내년 상반기까지 집을 팔면 양도소득세 부담을 줄여줄 방침입니다. 보유세는 올리되 양도세를 일시적으로 낮춰 다주택자들이 내년 상반기까지 주택을 처분하도록 유도하는 것입니다.

 

16일 정부는 주택시장 안정화 방안 관련 관계부처 합동브리핑을 통해 주택 보유 부담 강화 및 양도소득세 제도 보완 방안을 발표했습니다. 정부는 우선 공시가격 9억 원 이상의 주택에 부과하던 종부세를 1주택자에 대해서도 강화하기로 했습니다.

 

 

이에 따라 1주택자와 조정대상지역 외 2주택 보유자에 대한 종부세 세율이 기존보다 0.1∼0.3% 포인트 인상됩니다. 3주택 이상 다주택자나 조정대상지역 2주택 보유자에 대한 세율은 0.2∼0.8% 포인트 오릅니다. 아울러 조정대상지역의 2주택자 세 부담 상한을 200%에서 300%로 확대합니다.

 

정부는 투기적 대출수요를 규제하기 위해 투기지역·투기과열지구 주택담보대출 관리도 강화하기로 했습니다. 우선 해당 지역에서 시가 15억 원을 초과하는 아파트에 대한 주택구입용 주택담보대출이 금지됩니다.

 

시가 9억 원이 넘는 주택은 9억 원 초과분에 대한 주택담보대출비율(LTV)이 40%에서 20%로 낮아집니다. 예컨대, 현행대로라면 14억짜리 주택에 대한 주담대는 5억 6000만 원이지만 변경된 기준을 적용하면 9억 원까지 40%, 5억 초과분에는 20%가 적용돼 총 4억 6000만 원이 대출됩니다.

 

고가주택 기준은 공시가격 9억 원에서 시가 9억 원으로 내려가며, 투기지역·투기과열지구에서는 1주택 세대의 주택 구입, 무주택가구의 고가주택 구입에 대해 1년 내 전입 및 처분 의무 부여합니다. 또한, 주택임대업 개인사업자대출 이자상환비율(RTI)도 기존의 1.25배 이상에서 1.5배 이상으로 강화됩니다.

 

아울러 정부는 갭투자를 방지하기 위해 전세대출을 받은 후 시가 9억 원 초과 주택을 매입하거나 2주택 이상 보유할 경우 전세대출을 회수하기로 했습니다.

 

 

다만 정부는 조정대상지역 내 다주택자가 내년 상반기까지 주택을 팔 경우 양도세 부담을 완화해 주기로 했습니다. 내년 6월 말까지 다주택자가 조정대상지역 내 10년 이상 보유한 주택을 파는 경우 양도세 중과를 배제하고 장기보유특별공제를 적용할 계획입니다.

 

단, 실수요자가 아닌 경우 양도세는 더욱 강화됩니다. 9억 원 초과 주택을 거래한 1세대 1주택자의 장기보유특별공제에 거주 기간 요건이 추가됩니다. 현재 10년 이상 보유하면 80%의 최대 공제율을 적용받는데, 2021년 이후 집을 팔면 10년 이상 보유하고 거주해야 80%의 공제율을 온전히 다 받을 수 있습니다.

 

1년 미만 보유 주택에 대한 양도세율은 40%에서 50%로, 2년 미만은 기본세율(6∼42%)에서 40%로 오릅니다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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