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Column 칼럼

[문변의 금융이슈 짚어보기] 데이터3법의 처리를 촉구하면서

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Tuesday, December 17, 2019, 07:12:23

 

데이터3법이 결국 제20대 정기국회라는 문턱을 넘지 못했다. 여야가 공직선거법개정안과 고위공직자범죄수사처 설치법 등 신속처리안건(패스트트랙)지정 법안의 처리를 놓고 극한 갈등을 빚고 있는 게 작금의 현실이다. 이를 감안할 때 이번 임시국회에서도 그 통과를 기대하기 어려운 것 아니냐는 우려 섞인 목소리가 흘러나오고 있다.

 

데이터3법이란 개인정보(personal data)를 규율하는 ▲개인정보보호법 ▲신용정보의 이용 및 보호에 관한 법률 ▲정보통신망 이용촉진 및 정보보호 등에 관한 법률 등 세 가지 법률의 각 개정안을 포괄해 부르는 용어다.

 

사물인터넷(IoT), 인공지능(AI)으로 대표되는 4차 산업혁명 시대를 맞아 빅데이터의 보다 자유로운 이용을 통한 신산업 육성을 위해서는 데이터3법의 처리는 선결조건이다.

 

데이터3법은 추가정보를 사용하지 않고는 특정 개인을 식별할 수 없도록 가명처리한 ‘가명정보(pseudonymous data)’의 개념을 새로 도입한다. 이러한 가명정보의 경우에는 정보주체의 동의 없이도 과학적 연구나 상업적 목적의 통계작성 등을 위해 이용할 수 있게 하는 것을 골자로 한다.

 

지금까지는 가명조치 혹은 비식별화에 대한 법적 근거가 전무 했던 까닭에 2016년 정부가 배포한 ‘개인정보 비식별 조치 가이드라인’에 근거해 실무가 운영돼 왔다. 하지만 가이드라인은 어디까지나 행정지침에 불과했기에 비식별 조치의 법적 근거와 비식별정보 활용의 적법 여부에 대한 논란이 끊이지 않았다.

 

이번 데이터3법은 이러한 법적 논란에 종지부를 찍고 빅데이터에 대한 정보분석을 통해 사물인터넷이나 인공지능 등 다른 신기술과 결합해 새로운 지식기반산업 육성의 시발점이 될 것으로 큰 기대를 모으고 있다.

 

빅데이터는 대량의 개인정보 수집·활용·분석을 통한 특정 인물의 개인적인 성향, 건강, 관심사 등을 예측·평가하는 프로파일링(profiling)을 그 기본 전제로 한다. 이는 개인정보의 수집과 제3자 제공에 정보주체의 엄격한 동의절차를 요구하던 기존 개인정보 3법 하에서는 빅데이터 프로파일링이 사실상 불가능하기 때문이다.

 

비교법적으로 보더라도 미국이나 EU, 일본 등 선진국들은 일찍이 비식별정보, 가명정보 혹은 익명가공정보 등의 개념을 자국 법체계에 도입해 일정한 요건 하에서 비식별 처리된 개인정보의 자유로운 활용을 보장한다. 이를 토대로 4차 산업혁명시대에 선제적으로 대응하고 있는 모습이다.

 

세계 10대 경제대국이자 IT 강국인 우리나라가 빅데이터 시대의 갈라파고스로 전락하지 않기 위해서는 늦었지만 지금이라도 규제 지향적인 개인정보법제에 과감히 메스를 들어야 한다. 우리에게 남은 시간은 얼마 없다.

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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