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[코스피 마감] 미중 무역협상 불확실성 해소에 1%대 상승…반도체株 강세

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Tuesday, December 17, 2019, 15:12:57

인더뉴스 김현우 기자ㅣ코스피가 외국인 매수세에 상승 마감했습니다. 미중 무역협상 불확실성이 해소되면서 투자심리를 자극한 모습입니다. 특히 이날 SK하이닉스와 삼성전자는 각 4%, 3% 이상 큰 폭으로 올랐습니다.

 

17일 코스피 지수는 전 거래일보다 27.53포인트(1.27%)가 올라 2195.68에 거래를 마쳤습니다. 전날 로버트 라이트하이저 USTR(미 무역대표부) 대표는 CBS와의 인터뷰에서 “미중 1단계 무역합의는 완전히 이뤄졌다”며 “합의가 실행되면 우리는 두번째 해 중국에 약 2배를 더 수출하게 된다”고 언급했습니다.

 

서상영 키움증권 투자전략팀장은 “한국 증시는 외국인이 반도체 업종을 위주로 대량 순매수한 데 힘입어 상승폭을 확대하는 경향을 나타냈다”며 “아시아 시장 전반적으로 개별 산업 이슈에 따라 변화하는 등 미중 무역협상 이후 위험자산 선호심리 회복 기조가 이어지는 모습”이라고 설명했습니다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “특히 반도체의 경우 전날 미국 증시에서 마이크론 투자의견 상향, 5G 수요 증가 기대 유입에 힘입어 반도체주들이 강세를 보인 것과 동조화된 흐름”이라며 “반면 분양가 상한제 적용 지역 확대 발표에 건설업은 약세”라고 평가했습니다.

 

수급적으로는 외국인이 홀로 5542억원 가량의 주식을 사들이며 지수 상승을 이끌었습니다. 개인과 기관은 각 5286억원, 268억원을 순매도했습니다.

 

시가총액 상위 10개사는 대부분 빨간불을 켰습니다. 특히 셀트리온(068270)은 5% 이상 올랐고 SK하이닉스(000660)도 4% 이상 상승률을 보였습니다. 뒤를 이어 삼성전자(005930), 삼성전자우는 3% 이상 상승했고 현대차, 현대모비스, POSCO, 등이 강세였습니다. 반면 LG화학은 1% 이상 빠졌고 삼성바이오로직스는 보합으로 마쳤습니다.

 

업종별로도 상승 우위 흐름을 나타냈습니다. 특히 전기전자는 3% 이상 올랐고 의료정밀, 제조업 등은 2% 이상 상승률을 나타냈습니다. 이밖에 의약품, 철강금속, 운수장비 등이 1% 내외로 올랐습니다. 반대로 섬융의복, 건설업, 종이목재, 비금속광물, 음식료품, 운수창고 등이 약세 마감했습니다.

 

이날 거래량은 5억 8700만주, 거래대금은 6조 1418억원 가량을 기록했습니다. 상한가 2개를 포함해 446종목이 상승했고 하한가 없이 380종목이 하락했습니다. 보합에 머무른 종목은 82개였습니다.

 

한편 코스닥은 6.14포인트(0.95%)가 올라 650.58을 기록했습니다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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