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“취향대로 디자인·주행성능 강화”..고성능차 ‘벨로스터 N’의 진화

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Thursday, December 26, 2019, 09:12:20

N 전용 커스터마이징 튜닝 상품 출시..디자인·브레이크 등 12개 품목
향후 일반 모델까지 확대 계획..기존 커스터마이징 브랜드도 ‘새 옷’

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대자동차가 고성능 브랜드인 ‘N’의 감성을 살린 커스터마이징 튜닝 상품을 출시했습니다. 국내 벨로스터 N 고객들은 내·외관 디자인과 주행성능을 취향에 맞게 강화할 수 있게 된 건데요. 나중엔 N 모델은 물론 일반 모델까지 확대 적용될 것으로 기대됩니다.

 

현대차는 26일 커스터마이징 튜닝 상품 ‘N 퍼포먼스 파츠 (N Performance parts)’를 선보였습니다. 이에 따라 벨로스터 N 고객들은 리얼 카본·알칸타라로 내외관을 꾸미거나 모노블록 브레이크 등으로 주행성능을 한층 강화할 수 있게 됐습니다.

 

앞서 현대차는 지난해 부산모터쇼에서 일반 차종과 N 모델 등에 커스터마이징 부품 및 사양을 추가하는 N 상품 전략을 발표한 바 있습니다. 고성능차 디자인과 주행 성능 강화를 원하는 고객들의 요구를 적극 반영한 결정입니다.

 

이번에 출시된 N 퍼포먼스 파츠는 올해 서울모터쇼에서 선보였던 ‘N 퍼포먼스 카’를 모티브로 제작됐습니다.. 현대차는 N퍼포먼스 파츠의 적용 차량을 확대할 계획인데요. 내년엔 기존 커스터마이징 브랜드였던 튜익스(TUIX)를 대체할 새로운 브랜드가 출시된다고 합니다.

 

N 퍼포먼스 파츠는 외장, 인테리어, 브레이크 등 총 12개의 디자인 및 성능 향상 품목으로 구성됩니다. 리얼 카본 소재의 스포일러·디퓨져, 알칸타라 소재의 스티어링 휠 및 파킹 레버, 모노블록 4피스톤 캘리퍼와 하이브리드 대구경 디스크가 적용된 브레이크 시스템, 19인치 경량휠 등이 대표적입니다.

 

현대차 관계자는 “고성능차의 진입 장벽을 낮추고 누구나 고성능차의 스포티한 감성을 즐길 수 있도록 앞으로 N이외의 차량에도 N퍼포먼스 파츠를 선보일 것”이라며 “다양한 고객의 니즈 만족 및 튜닝 산업 활성화에 기여하겠다”고 말했습니다.

 

한편, 벨로스터 N은 유럽에서 판매 중인 i30 N에 이어 두번째로 선보인 현대차의 고성능차입니다. ‘운전의 재미를 위해 코너링 능력과 트랙 주행능력을 크게 향상시켰는데요. 3000만원 수준의 저렴한 가격에도 고성능을 느낄 수 있는 것이 최대 장점으로 꼽힙니다.

 

가솔린 2.0 터보 엔진과 6단 수동변속기를 장착한 벨로스터 N은 최고출력 275마력, 최대토크 36.0kgf.m의 힘을 내는데요. 특히 고가의 스포츠카에서만 볼 수 있었던 전자식제어서스펜션, 레브매칭, 런치 컨트롤 등이 적용돼 운전의 즐거움을 느낄 수 있도록 했습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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