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SK텔레콤, 전라선 LTE-R 구축한다

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Friday, December 27, 2019, 10:12:06

전라선·군장산단인입철도 등 한국철도시설공단이 발주한 LTE-R 구축사업 수주
2021년 시행 예정인 열차제어시스템 지원 위해 전라선 구간 내년말 구축 목표

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK텔레콤이 전라선에 철도통신무선통신서비스를 제공합니다.

 

27일 SK텔레콤(대표이사 사장 박정호)에 따르면 한국철도시설공단이 발주한 LTE-R(Long Term Evolution-Railway, 철도통합무선통신서비스) 구축사업을 추가로 수주했습니다.

 

SK텔레콤은 전라선과 군장산단인입철도 등 4개 구간 LTE-R 구축사업자로 선정돼 최종 계약을 체결하고 내년부터 본격적인 사업에 들어갈 예정입니다.

 

LTE-R은 4세대 이동통신 LTE 기술을 철도에 적용해 개발한 무선통신시스템인데요. 철도 교통망 운영과 제어를 위해 음성, 영상, 데이터 등의 대용량 정보를 빠르게 주고 받을 수 있다는 장점때문에 최근 많은 철도망에 적용되고 있습니다.

 

SK텔레콤과 한국철도시설공단은 이번 계약에 따라 전라선(익산~여수엑스포 구간, 195.3km)과 군장산단인입철도(익산~대야 14.3km, 대야~군산항28.6km), 서울지하철 4호선 당고개~진접 구간(14.9km) 등 4개 철도 구간에서 LTE-R 구축사업을 진행할 계획입니다.

 

특히 한국철도시설공단는 전라선 LTE-R 구축사업에 세계 최초로 LTE 방식의 한국형 열차제어시스템(KTCS-2) 시범사업을 함께 진행합니다. KTCS-2는 LTE-R을 활용해 열차를 실시간으로 제어하는 신호시스템인데요. 무선통신으로 열차의 위치 정보를 송수신해 열차 운행 간격을 제어하는 등 철도 운영을 위한 자동화가 가능한 기술로 2018년 6월 국내에서 순수하게 독자 개발됐습니다.

 

현재 운영 중인 철도신호시스템이 전라선 LTE-R 구축사업에 시범 적용되는 무선열차제어시스템으로 표준화되면 더 안정적이고 효과적으로 열차운행 효율성을 높일 수 있을 것으로 기대됩니다. 또한 이번 시범사업으로 2006년부터 진행해 온 한국형 무선기반 열차제어시스템 연구 및 개발 노력이 큰 결실을 맺는 계기가 될 것으로 평가받고 있습니다.

 

SK텔레콤은 한국형 무선열차제어시스템 연구개발용역 참여기업인 LS산전과 함께 KTCS-2 시범사업을 진행합니다. 전라선 LTE-R을 시작으로 무선열차제어 기술을 국산화하는데 기여할 것으로 기대되는데요. SK텔레콤은 2021년까지 시범운영을 계획 중인 무선열차제어시스템 지원을 위해 전라선 구간 LTE-R 구축을 2020년말까지 완료할 것을 목표로 사업을 추진할 예정입니다.

 

한편, SK텔레콤은 2015년 부산도시철도 1호선 LTE-R 사업을 수주해 2017년 준공한 것을 시작으로 다수의 LTE-R 구축사업을 진행하고 있습니다. 2019년에만 한국철도시설공단에서 발주한 2개의 주요 사업을 수주한 것을 비롯해 인천광역시 도시철도건설본부가 발주한 2개 사업과 민자철도 구간인 부전마산선 LTE-R 구축사업 등 총 5개의 철도통신 구축사업자로 선정됐습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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