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제이앤티씨, 증권신고서 제출하고 코스닥 상장 절차 돌입

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Tuesday, January 14, 2020, 10:01:07

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 3D커버글라스·커넥터 전문기업 제이앤티씨는 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 코스닥 상장 절차에 본격 돌입했다고 14일 밝혔다.

 

회사는 이번 상장을 위해 1100만주를 공모한다. 공모예정가는 8500원~1만 500원, 공모예정금액은 935억원~1155억원이다.

 

내달 11일~12일 수요예측을 진행하고 17일~18일 청약을 거쳐 2월 내 코스닥 시장에 상장할 예정이다. 상장 주관은 신한금융투자와 유진투자증권이 공동으로 맡고 있다.

 

지난 1996년 설립된 제이앤티씨는 커넥터사업을 시작으로 독보적인 원천기술과 그룹사간 시너지 극대화로 끊임없는 성장스토리를 기록하고 있다. 2014년 3D커버글라스 양산에 이어 2019년 스마트폰용 키리스(Keyless) 커버글라스 양산 성공과 2020년 차량용 일체형 3D커버글라스의 상용화를 목전에 두고 있다.

 

여기에 고기능 고사양 박막글라스 선행기술을 통한 폴더블, 롤러블 UTG 시장진입과 미래형 디스플레이 시장 선도를 가속화하며 가파른 성장세를 지속할 전망이다.

 

특히 전세계 스마트폰 패러다임을 견인하는 선도적인 기술력으로 글로벌 탑 고객사 다변화에 성공하면서 외형성장과 질적성장을 동시에 이뤘다. 2019년 3분기 누적 매출액은 2249억원으로 3분기만에 지난 2018년 온기 누적매출액 2294억원에 근접하는 외형을 키웠다.

 

또 2019년 3분기 누적 영업이익은 326억원으로 지난해 온기 누적 영업이익인 255억원을 크게 상회했다. 2019년 4분기 결산이 보태지면 창사이래 최대 실적이 전망된다.

 

이러한 성과의 배경은 ▲독보적인 커버글라스 원천 기술확보 ▲세계 3대 디스플레이 메이커와 글로벌 매출처 다변화 ▲핵심설비 내재화 기반 생산성·수율 확보 ▲베트남 생산기지 구축에 따른 글로벌 생산거점 확보·대규모 수주 대응 체제 완성으로 요약된다.

 

특히 올해는 OLED 공급확대에 따른 글로벌 디스플레이와 글로벌 스마트폰 고객사 증가와 함께 신규 빅 마켓인 자동차용 디스플레이 시장 진입 가속화, 미래형 디스플레이 시장 창출 가시화로 지속성장이 예고된다.

 

김성한 대표는 “이번 상장은 제이앤티씨가 글로벌 넘버원 기술선도 기업으로 성장을 가속화해 미래 산업의 주역으로 도약하는 토대가 될 것”이라며 “모바일·차량용 3D커버글라스 시장 선점을 필두로 폴더블, 롤러블용 UTG와 4차 산업 혁명의 IoT용 3D커버글라스 시장 등으로 확대할 계획“이라고 전했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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