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SKT-MS, 국내 첫 Xbox 개발자 행사 ‘초협력’...게임 공동 개발

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Wednesday, January 15, 2020, 14:01:56

지난해 10월 ‘Project xCloud’ 시범 서비스 이어 협력 분야 확대
MS, 국내서 Xbox 개발자 행사 첫 개최..국내 게임 생태계 활성화 기대

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK텔레콤과 마이크로소프트(MS)가 국내에서 처음으로 엑스박스(Xbox)개발자 행사를 개최하고, 양사간 ‘초(超)협력’을 확대합니다.

 

SK텔레콤은 작년 10월 엑스박스 게임을 스트리밍으로 서비스하는 ‘프로젝트 엑스클라우드(Project xCloud)’ 시범 서비스를 시작했습니다. 이번 개발자 행사는 게임 개발 등으로 협력 분야를 확대하기 위한 것으로 풀이됩니다.

 

SK텔레콤(대표이사 사장 박정호)은 15일 서울 종로구에 위치한 한국 마이크로소프트 본사에서 열리는 엑스박스 개발자 행사(‘Xbox Discovery Day’)를 후원하고, 게임 개발자들을 대상으로 게임 사업 제휴 모델 및 계획 등을 설명했습니다.

 

SK텔레콤은 이번 행사에 전진수 5GX서비스사업본부장(클라우드게임 사업담당 겸임)이 참여해 국내 게임 개발자들에게 게임 분야 사업 계획 등을 설명했습니다.

 

‘엑스클라우드’는 마이크로소프트의 콘솔(가정용 게임기) ‘엑스박스(Xbox)’의 고화질∙대용량 게임을 스마트폰에서 다운로드∙설치 없이 즐길 수 있는 혁신적 기술입니다. SK텔레콤과 마이크로소프트는 지난 10월부터 SK텔레콤의 5G∙LTE 고객 체험단에 ‘엑스클라우드’를 시범 서비스 중인데요.

 

전진수 사업담당은 “향후 게임 개발을 위해 양사간 공동 투자를 확대하고, 게임 개발사 지원을 위한 다양한 마케팅 방안 등을 검토하고 있다”고 말했습니다.

 

이번 Xbox 개발자 행사(‘Xbox Discovery Day’)는 게임산업 관계자들을 위한 세미나로 마이크로소프트가 국내에서 개최한 첫 Xbox개발자 행사입니다.

 

마이크로소프트는 이날 ▲독립 비디오 게임 개발자들이 스스로 윈도우와 Xbox에서 구동되는 게임을 퍼블리싱 할 수 있도록 지원하는 ‘ID@Xbox’ 프로그램 ▲Xbox 구독 서비스인 ‘게임 패스’(Game Pass) ▲라이브 스트리밍 플랫폼 ‘믹서’(Mixer) ▲Xbox 개발과정 등을 설명했습니다.

 

이날 행사에는 Microsoft 본사에서 Xbox 게임 컨텐츠 제휴담당인 아그네스 킴(Agnes Kim), 인디 개발자들을 위한 ID@Xbox를 담당하는 아고스티노 시모네타(Agostino Simonetta), 글렌 그레고리(Glenn Gregory) 등이 참석했습니다. 또 국내 대형 게임사 관계자들은 물론 독립 게임 개발자들 100여명 이상이 참가했습니다.

 

SK텔레콤 전진수 클라우드 게임 사업담당은 “마이크로소프트는 Xbox를 통해 더 많은 한국 게임을 선보일 것이며 ‘Xbox Discovery Day’가 그 시작”이라며 “SK텔레콤은 마이크로소프트와 ‘Project xCloud’를 넘어 보다 다양한 분야에서 협업해 한국 게이머들에게 지금까지 없었던 게임 경험을 제공할 것”이라고 강조했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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