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삼바, 올해 美 샌프란시스코에 연구소 신설...JPM 컨퍼런스서 발표

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Thursday, January 16, 2020, 15:01:42

삼성바이오로직스 김태한 사장·존 림 부사장, CDO 연구소 설립 계획 밝혀
“CMO분야 생산제품수 및 CDO 확대..신기술 적용 등으로 생산성 높일 것”

 

인더뉴스 김진희 기자ㅣ삼성바이오로직스가 올해 미국 샌프란시스코에 위탁개발(Contract Development Organization; 이하 CDO)을 위한 연구소를 신설합니다.

 

삼성바이오로직스는 15일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 JP모건 헬스케어 컨퍼런스에 참여해 이 같이 밝혔습니다.

 

존 림(John Rim) 삼성바이오로직스 부사장은 발표에서 “사업 포트폴리오 확장을 위해 2017년 CDO 사업을 시작한 이래 2018년 5개, 2019년 42개의 누적 프로젝트를 수행했다”며 “올해는 샌프란시스코에 CDO 분야 연구개발(R&D)을 위한 연구소를 설립하고, 이후 유럽·아시아 등에 추가 진출해 고객 만족을 달성할 것”이라고 말했습니다.

 

사업 초기 집중하던 바이오의약품 위탁생산(Contract Manufacturing Organization; CMO)에 대해서는 7년만에 전 세계 CMO기업 중 세계 최대 생산규모인 36.4만 리터를 갖췄다고 설명했습니다.

 

병렬공업을 통해 경쟁사 대비 공장 건설 및 가동에 필요한 기간을 40% 가량 단축했으며, FDA·EMA·PMDA·HC(Health Canada) 등으로부터 총 47개의 제품승인을 획득하는 성과를 거뒀다고 발표했습니다.

 

삼성바이오로직스는 성과를 토대로 CMO 분야 생산제품수를 증가하겠다는 계획입니다. 구체적으로 2018년 27개, 지난해 35개에 이어 올해엔 47개로 늘릴 예정이며, CDO 분야에서는 최소 18개를 추가해 60개 이상의 프로젝트를 수행한다는 방침입니다.

 

특히 3공장의 경우 신기술(N-1 Perfusion) 적용으로 생산기간을 30% 단축한다는 계획입니다. 현재 삼성바이오로직스 1공장의 가동률은 60%대, 2공장은 80%, 3공장은 35% 수준의 물량을 확보한 상태로 알려져 있습니다.

 

한편, 이날 발표에 참석한 김태한 삼성바이오로직스 사장은 모두 발언을 통해 “자사는 지난해 제품기준 CMO 프로젝트 35개, CDO 42건, CRO(Contract Research Organization; 위탁연구) 10건을 수주했으며, 47건의 글로벌 제조 승인을 획득하며 명실상부한 글로벌 바이오기업으로 거듭났다”고 강조했습니다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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