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화웨이, 5G 무선접속네트워크 경쟁력 1위...삼성전자는?

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Tuesday, January 21, 2020, 15:01:44

글로벌데이터, ‘5G 무선접속네트워크(RAN): 경쟁구도 평가’ 결과 공개
4가지 평가서 화웨이 20점 만점..노키아·에릭슨·삼성전자 순위로 이어져

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ화웨이가 상반기에 이어 5G 무선접속네트워크 경쟁구도 평가에서 1위를 차지했습니다. 글로벌 회사인 노키아, 에릭슨, 삼성전자를 제치고 선도 기업으로 위상을 유지했습니다.

 

시장조사기관 글로벌데이터는 ‘5G 무선접속네트워크(RAN): 경쟁구도 평가’ 결과를 21일 발표했는데요.

 

글로벌데이터는 기저대역 유닛(BBU) 용량, 무선통신 포트폴리오, 설치 용이성, 기술 진화 등 4개 항목을 평가하고, 조사 기업들의 5G 무선접속네트워크(RAN) 경쟁력을 분석했습니다.

 

화웨이는 5G 무선접속네트워크(RAN) 경쟁구도 평가에서 기저대역 유닛(BBU), 무선통신 (Radio Unit Portfolio) 포트폴리오, 설치 용이성, 기술 진화 4개 항목 모두 최고점(5점)으로 총 20점을 받았습니다.

 

 

글로벌데이터가 분석한 결과에 따르면 경쟁사의 제품은 화웨이의 장비 수준에 못 미치는 것으로 나타났습니다. 동일한 4가지 항목을 비교한 결과, 화웨이에 이어 노키아(16점), 에릭슨(15점), 삼성전자(14점)순입니다.

 

에릭슨 BBU 시리즈의 경우 단위 용량당 지원이 많지 않고, 무선통신 (Radio Unit Portfolio) 포트폴리오도 동종 제품만큼 광범위하지 않다는 지적입니다. 에릭슨은 관련 포트폴리오 부문에서 ‘우수 (Strong)’ 등급으로 분류됐습니다.

 

또 노키아는 단위 용량당 비슷한 수준을 지원하는 BBU 항목을 제공하지 않아 5G 상용 구축과 프로젝트 제공이 지연될 수 있다는 지적이 나옵니다.

 

한편, 화웨이는 현재 대용량 다중입출력(Massive MIMO) 모델 22개, 통합 안테나 모델 32개, 듀얼 밴드(두 대역에서 작동 가능한) 모델 14개 등 총 94개의 무선통신 제품을 제공하고 있습니다. 화웨이 5G RAN 무선통신제품은 업계에서 가장 강력한 35 NR(New Radio, 뉴라디오, 5G 기술 규격) 대역도 지원합니다.

 

화웨이는 기존 설치 기준(제품 무게 및 치수 등)에 대한 명확한 규정으로 여러 솔루션을 제공하고 있습니다. 예컨대, ‘슈퍼 블레이드사이트(Super BlaedSite)’ 솔루션은 설치 공간이 극도로 제한된 곳에서도 장비실 및 에어컨에 대한 장비 의존도를 줄여 5G 안테나를 설치할 수 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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