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공개 3주 앞둔 ‘갤럭시 Z 플립’ 가격 180만원대 예고...과연 출고가는?

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Wednesday, January 22, 2020, 17:01:06

삼성전자, 내달 11일 갤럭시 S20·Z 플립 공개..맥스 웨인바흐, 갤럭시 Z 플립 180만원 예상
갤럭시 S20 플러스·울트라 예상보다 비싸다는 반응 나와..“출시 전 가격변동 가능성 있어”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ새해 첫 스마트폰 신제품에 대한 관심이 높아지고 있습니다. 삼성전자가 갤럭시 탄생 10주년 맞아 ‘갤럭시 S20’ 시리즈와 폴더블 신작 ‘갤럭시 Z 플립’ 공개를 3주 앞두고 있는데요.

 

이런 가운데, 갤럭시 신작 시리즈에 대한 유럽 가격이 공개돼 화제를 모으고 있습니다. 갤럭시 S20는 기기에 따라 900~1300유로(약 116만~167만원), 갤럭시 Z 플립은 1400유로(약 180만원)으로 전망됩니다. 갤럭시 Z 플립의 경우 시장에서 예상한 가격보다 다소 높은 편이어서 향후 조정될 가능성은 있어 보입니다.

 

작년 삼성전자의 첫 폴더블폰인 ‘갤럭시 폴드’의 경우도 출시되기 전부터 출고가에 대한 관심이 뜨거웠는데요. 당초 시장에선 200만원 안팎일거란 전망이 우세했지만, 국내 출고가는 239만 8000원(영국의 경우 283만원)으로 시장 예측과 다소 차이가 있었습니다.

 

21일(현지시간) XDA 디벨로퍼(개발자 커뮤니티)의 맥스 웨인바흐(Max Weinbach)는 자신이 운영하는 트위터(Twitter)에 “방금 갤럭시 S20 가격을 들어봤다”며 “갤럭시 Z플립은 약 1400유로 정도 예상되지만, 출시 전에 변경될 것으로 예상한다”고 말했습니다.

 

현재 삼성전자는 갤럭시 S20와 S20플러스, S20 울트라, 갤럭시 Z플립 총 4가지 신제품을 출시할 예정인데요. 맥스 웨인바흐에 따르면 갤럭시 S20의 경우 5G 기준 900~1000유로(약 116만~128만원), S20 플러스 5G는 1050~1100유로(약 135만~142만원), S20 울트라 5G는 1300유로(약 167만원)가량으로 예상됩니다.

 

갤럭시 Z 플립의 경우 S20 울트라보다 100유로(약 12만원)가량 높을 것으로 관측돼 1400유로(180만원대)로 거론되고 있습니다.

 

삼성전자 갤럭시 시리즈의 가격이 공개되자, 글로벌 소비자들은 비싸다는 반응이 나왔습니다. 작년 출시한 갤럭시 S10 시리즈와 비교해도 전체적으로 가격대가 높아졌기 때문인데요.

 

일각에선 가격대가 높은 만큼 사전예약자를 대상으로 프로모션을 제안하기도 했는데요. 가령, “사전예약 고객에는 갤럭시 버즈(무선이어폰)이나 갤럭시 와치(시계)를 줬으면 좋겠다”는 등 비슷한 의견이 다수 게시됐습니다.

 

가격으로만 따져보면, 작년 출시한 갤럭시 S10 시리즈보다 높은 편입니다. 출시되는 국가에 따라 출고가가 조금씩 다르긴 하지만, 작년 S10 출고가는 512GB 기준으로 각각 129만 8000원, 139만 7000원으로 책정됐습니다. 미국 출시 당시 출고가는 S10이 900달러(약 104만원), S10 플러스 1000달러(약 116만원), S10 플러스 5G가 1300달러(약 151만원)입니다.

 

갤럭시 신작에 탑재된 스펙을 감안하면 적당한 가격이라는 주장도 나옵니다. 갤럭시 S20 울트라의 경우 1억 화소 카메라가 탑재돼 원거리와 야간 촬영 성능을 높였습니다. 또 스페이스줌이라는 기술을 적용했는데, 이미지 품질 손상 없이 30배 정도 확대 가능한 것으로 전해집니다.

 

맥스 웨인바흐 역시 트위터에서 “(갤럭시 S20)가격대가 높은 것 같지만, 사양을 따져보면 적당하다고 본다”고 말했습니다.

 

한편, 삼성전자는 오는 2월 11일 미국 샌프란시스코 열리는 갤럭시 언팩2020에서 신제품을 공개할 예정입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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