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DLF 사태 2차 제재심, 우리은행 중징계 방어 총력...오늘도 못내린 결론

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Wednesday, January 22, 2020, 18:01:55

손태승 회장 참석..사전통보 받은 문책 사항 집중 소명
금감원, 30일 하나은행과 함께 징계 여부 최종 결정

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ금융감독원은 22일 해외금리 연계형 파생결합펀드(DLF) 사태와 관련해 우리은행과 경영진에 대한 징계수위를 결정하는 2차 제재심의위원회를 열었습니다. 최종결론은 오는 30일 한 차례 더 열리는 제재심에서 나올 것으로 전망됩니다.

 

22일 손태승 우리금융 회장 겸 우리은행장은 제재심이 열리는 금융감독원 본원에 오후 1시경 도착했습니다. 이후 취재진의 질문에 대답을 하지 않을 채 제재심 회의장인 11층으로 향했습니다.

 

손 회장은 앞서 지난 16일 1차 제제심에도 출석했습니다. 하지만 당시 오전 10시에 시작된 KEB하나은행에 대한 논의가 오후 7시까지 길어지면서 우리은행 제재심은 오후 9시까지 두 시간만 진행됐습니다. 이에 손 회장은 2차 DLF 제재심에 다시 출석해 사전 통보받은 문책 사항에 대해 집중 소명한 것으로 알려졌습니다.

 

금융회사 임직원에 대한 제재는 주의, 주의적 경고, 문책경고, 직무정지(정직), 해임권고 등 다섯 단계이며 문책경고 이상이 중징계로 분류됩니다. 중징계를 받은 임원은 잔여임기를 수행할 수 있지만 이후 3~5년간 금융회사의 임원으로 재직할 수 없습니다.

 

금감원은 손 회장에게 연임과 금융권 취업에 제한을 받는 중징계(문책 경고)를 사전 통보했습니다. 오는 3월 열리는 우리금융지주 주주총회에서 손 회장의 연임이 사실상 확정된 상태입니다. 그러나 주총 이전에 중징계가 확정되면 연임에 제동이 걸리기 때문에 징계 수위를 낮추기 위해 총력전을 펴야만 하는 상황입니다.

 

1차 제재심에 이어 내부통제 부실에 따른 경영진 문제를 놓고 금감원과 은행 측의 치열한 공방이 펼쳐졌습니다. 금감원 조사부서는 내부통제 부실이 DLF의 불완전판매로 이어졌기에 경영진을 제재해야 한다고 주장하지만, 은행들은 내부통제 부실에 따른 책임으로 경영진까지 제재하는 것은 법적 근거가 미약하다고 맞서고 있습니다.

 

우리은행에 대한 제재심은 1차 DLF제재심 때와 마찬가지로 금감원과 우리은행 간 치열한 공방이 이어짐에 따라 오랜 시간 심의가 계속될 것으로 전망됩니다. 우리은행 대심까지 끝나면 제재심 위원들이 두 은행과 손 회장, 함영주 하나금융 부회장(DLF 판매 당시 하나은행장) 등의 제재 수위를 정하는 심의에 돌입할 예정입니다.

 

업계에서는 제재심 최종 결과는 오는 30일에 나올 것으로 전망하고 있습니다. 금융권 관계자는 “이번 DLF 사태는 중대한 사안이기 때문에 금감원과 은행측에서도 많은 준비를 했을 것”이라며 “치열한 공방이 오고 간 만큼 오랜 시간 심의가 필요해 바로 결론 내기 어려울 것으로 예상된다”고 말했습니다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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