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셀리버리, 중증패혈증 치료신약 임상자문계약 체결...“싸이토카인폭풍 저해 효과”

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Wednesday, January 29, 2020, 10:01:43

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 셀리버리(268600)는 중증패혈증 치료신약 iCP-NI 임상시료 대량생산계약에 이어 조기 임상진입을 위해 경희의료원과 임상자문계약을 체결했다고 29일 밝혔다.

 

셀리버리는 이 계약에 따라 올해 내 임상시험 진입을 목표로 중증패혈증 치료신약 iCP-NI 관련 정기 컨퍼런스를 진행한다. 이를 통해 비임상 유효성, 안전성 평가, 임상질환, 환자군과 임상프로토콜 결정 등 임상시험 핵심 결정사항에 대해 임상자문교수들과의 협의를 통해 조기에 임상진입 하겠다는 목표다.

 

패혈증은 세균이나 바이러스에 의한 감염뿐 아니라 심각한 외상 등에 의해 우리 몸의 방어체계가 과도하게 활성화되면 ‘싸이토카인폭풍(cytokine storm)’이 촉발돼 전신에 심각한 염증반응을 보이며 사망에까지 이르는 질환이다.

 

치사율은 30%(국내 기준 약 40%)로 암, 심장질환에 이어 전세계 사망원인질환 3위에 달한다고 알려졌으나 최근에는 치사율 1위라는 연구결과가 보고되고 있다고 회사측은 설명했다.

 

회 사관계자는 “지난 2001년 당시 ‘자이그리스’라는 유일한 패혈증 치료제가 미 FDA 에서 승인돼 10년 간 판매됐다”며 “하지만 3%의 생존율 상승 효과만을 보이는 동시에 심각한 부작용이 발견돼 2011년 시장에서 완전히 퇴출됐다”고 설명했다.

 

이어 “따라서 현재 사용되고 있는 패혈증 치료제는 전무한 실정”이라며 “현재는 호흡보조, 수액투여, 항생제 처치, 혈액 내 독소나 싸이토카인을 제거하는 혈장 체외투석법 등 대증요법만이 사용되고 있어 보다 직접적인 치료신약의 개발이 시급한 상황”이라고 덧붙였다.

 

조대웅 셀리버리 대표는 “치명적 병원성 세균 감염으로 인한 급성중증간염 동물모델에서 100%가 사망하는 대조군보다 iCP-NI 투여군은 100%의 생존율을 보였다”며 “사람의 패혈증과 가장 유사한 동물모델인 세균 감염으로 인한 복막염 모델에서도 80% 이상의 효과를 보였다”고 말했다.

 

이어 “혈중 염증유발 싸이토카인은 줄이는 반면 염증억제 싸이토카인은 증가시키는 획기적 염증치료효과를 이미 도출했다”며 “약물의 확실한 작용기전을 바탕으로 패혈증 환자를 대상으로 한 임상시험에서도 좋은 결과를 얻을 수 있을 것으로 기대한다”고 덧붙였다.

 

또한 “현재 펩타이드 합성전문 위탁생산기관에서의 비임상·임상시료 대량생산 공정개발이 완료되고 있으니 빠른 시일 내 시료 대량생산이 이루어질 것”이라며 “이를 이용해 최단기간 내 안전성 시험을 거쳐 실제 심각한 수준의 패혈증 환자군에게 임상시험을 할 계획”이라고 전했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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