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[문변의 금융이슈 짚어보기] 자본시장 내부통제 강화를 촉구한다

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Tuesday, February 04, 2020, 15:02:01

 

지난 2019년은 2008년 자본시장법이 제정된 이래 자본시장 최악의 한 해로 기록될 듯하다. 우리·하나은행의 DLF사태, KB증권의 호주부동산 펀드사기사건에 이어 급기야 국내 최대 사모펀드 운용사인 라임자산운용이 환매중단을 선언하기에 이르렀다.

 

특히 라임사태의 경우 지난달 29일 기준으로 환매 중단된 자(子)펀드 수가 173개, 금액으로는 무려 1조 7000여억원에 달하는데 이는 라임의 전체 사모펀드 설정액의 40%가 넘는 엄청난 규모다. 문제는 환매중단 펀드가 지금도 계속 증가하고 있어 투자자들의 정확한 피해 규모조차 집계할 수 없다는 데 있다.

 

작년 11월 금융당국은 DLF사태의 후속대책으로 사모펀드 최소 투자금액을 1억원에서 3억원으로 상향 조정하고 파생상품과 구조화상품 등 구조가 복잡해 이해하기 어렵고 원금 손실 가능성이 큰 고난도 금융투자상품에 대한 판매규제를 강화하는 등의 방안을 뒤늦게 제시했다. 하지만 정작 이에 대한 시장의 평가는 냉랭하기만 하다.

 

금융기관의 부실판매와 사기적 부정거래, 투자자들의 불신과 그로 인한 시장실패는 여러 요소가 복합적으로 작용한 결과지만, 근본적으로는 내부통제(internal control)가 제대로 작동하지 않은 데서 그 원인을 찾을 수 있다고 본다.

 

내부통제기준은 ‘법령 준수, 건전한 경영과 주주 및 이해관계자 등을 보호하기 위해 금융회사의 임직원이 직무를 수행할 때 준수해야 할 기준 및 절차’로 정의할 수 있는데, 2016년 금융회사의 지배구조에 관한 법률이 제정되면서 새로이 법제화된 개념이다.

 

내부통제시스템은 위험통제, 준법감시, 내부 감사 이 세 가지 기능을 필수적으로 포함한다. 위험의 측정과 평가에 관한 위험통제는 특히 의사결정이나 전략, 법적 구조가 복잡하거나 중요한 사정 변화가 있을 경우 특별한 역할을 하기 때문에 그 중요성이 갈수록 강조되고 있다.

 

앞서 언급한 세 가지 사례는 정도의 차이가 있을 뿐 모두 영업실적에 사활을 건 금융사의 임직원들이 부정적인 외부 요인과 가변적인 지표, 고객들의 피해 가능성을 무시하면서까지 무리하게 고위험 금융상품 판매에 나선 결과이자 위험통제 실패의 대표적인 사례로 볼 수 있다.

 

최근 금융업을 비롯한 각종 산업분야의 규제 완화가 국정의 주요 정책과제로 추진되고 있다. 이러한 정책 방향성은 지극히 타당하고 비록 금융업이 본질적으로 규제산업의 특질을 띄고 있다 해도 마찬가지이다. 그러나 금융규제의 완화는 외부로부터 가해지는 규제 총량의 경감을 의미하는 것이지 규제 그 자체의 소멸을 의미하는 것은 결코 아니다.

 

적절한 내부통제시스템을 마련하고 이를 실행하는 것은 고객과 주주의 이익을 위한 길이자, 향후 발생할 수 있는 법적 분쟁으로부터 회사와 임직원들을 방어할 수 있는 최후의 보루다. 나아가 이는 관치금융의 오명을 씻고 자율규제를 내실화함으로써 ‘개인과 기업의 개성과 창의에 대한 존중’을 모토로 하는 우리 헌법정신을 구현하는 길이기도 하다.

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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