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삼성전자, 이미지센서 ‘아이소셀 브라이트 HM1’...감도 2배 높여

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Wednesday, February 12, 2020, 17:02:00

1억 800만 화소 1/1.33인치 크기..특허 기술 ‘노나셀’ 적용

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ지난해 1억 화소가 넘는 이미지 센서를 출시한 삼성전자가 이번에는 특허 기술로 감도를 높인 적용한 신제품을 내놓습니다. 초고화소에 더해 어두운 환경에서도 밝은 사진을 찍을 수 있으며 확대해도 화질이 깨지지 않는다는 특징이 있습니다.

 

삼성전자는 12일 ‘노나셀(Nonacell)’을 적용해 카메라 감도를 최대 2배 이상 향상한 모바일 이미지센서 ‘아이소셀 브라이트 HM1’을 출시했다고 이날 밝혔습니다. 감도란 이미지센서가 빛에 반응하는 속도를 뜻하며 높을수록 어두운 곳에서 밝은 사진을 찍을 수 있습니다.

 

이 센서는 0.8㎛(마이크로미터) 크기 화소 1억 800만 개가 1/1.33인치 크기로 담긴 형태입니다. 신기술인 노나셀은 인접 화소 9개가 큰 픽셀 하나(3X3)처럼 동작하게 하는 기술입니다.

 

 

0.8㎛ 크기 화소를 2.4㎛ 크기처럼 활용해 감도를 높입니다. 환경에 따라 어두울 때는 밝게, 밝을 때는 더욱더 세밀하게 이미지를 구현합니다. 화소 4개를 활용하는 ‘테트라셀(2x2)’과 비교하면 빛을 두 배가량 더 받아들일 수 있습니다.

 

삼성전자는 “최근 모바일 기기에 탑재되는 카메라 수가 많아지고 사양이 높아지는 경향에 최적화한 초고화소, 초소형, 고성능 이미지 센서”라고 설명했습니다.

 

이 센서를 장착한 스마트폰은 최대 8K급(7680X4320) 해상도로 초당 24프레임 동영상을 촬영할 수 있습니다. 확대 기능 향상도 강점입니다. 삼성전자에 따르면 1억 개 이상 화소를 통해 피사체를 최대 3배까지 확대해도 화질 저하가 없습니다.

 

이밖에 색 재현성을 높이고 화질 저하를 최소화하는 ‘스마트 ISO(감광속도)’, 명암 대비가 큰 환경에서도 색감을 살리는 ‘실시간 하이 다이내믹 레인지(HDR)’, ‘전자식 이미지 흔들림 보정(EIS)’ 등 최신 기술을 적용했습니다.

 

박용인 삼성전자 시스템LSI 사업부 센서사업팀 부사장은 “아이소셀 브라이트 HM1에 내장된 노나셀 기술은 어떠한 환경에서도 생생한 사진을 찍을 수 있도록 도와줄 것”이라고 말했습니다. 삼성전자는 현재 이 제품을 양산하고 있습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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