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‘9000억 잭팟’...SK건설, 카자흐스탄 알마티 순환도로 착공 확정

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Thursday, February 13, 2020, 11:02:33

부가가치 큰 민간협력사업 성사..설계·조달·시공에 인프라 운영까지

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣSK건설이 국내 최초로 중앙아시아의 인프라 민관협력사업(PPP) 진출에 성공했습니다. 20년간 사업비 9000억원이 투입되는 카자흐스탄의 알마티 순환도로 사업에서 국제 은행들로부터 자금 조달을 확정하고 착공에 들어가게 된 겁니다.

 

SK건설은 12일 카자흐스탄 수도 누르술탄에서 글로벌 다자개발은행으로 구성된 대주단과 알마티 순환도로(Almaty Ring Road) 건설의 사업자금 조달에 대한 금융약정을 체결했다고 13일 밝혔습니다.

 

카자흐스탄의 경제수도인 알마티에 총 연장 66km의 왕복 4~6차로 순환도로, 교량 21개, 인터체인지 8개를 신설하는 이번 사업은 중앙아시아 내 인프라 민관협력사업(PPP) 중 최대 규모로 알려졌습니다. 총 사업비 7억5000만달러(약 9000억원), 공사비만 5억4000만달러가 투입되는 중요 교통 인프라입니다.

 

본 사업은 SK건설이 한국도로공사, 터키 알랄코, 마크욜 사와 구성한 컨소시엄이 주도하게 됩니다. 컨소시엄은 2018년 카자흐스탄 정부와 건설과 운영에 대한 실시협약을 체결했는데요.

 

이날 약정을 통해 유럽부흥개발은행, 이슬람개발은행, 유라시아개발은행 등 대주단으로부터 5억8000만달러를 조달받게 됐습니다. 나머지 사업비는 주주사의 출자금으로 충당할 전망입니다.

 

업계에서는 국내 기업 중 최초로 중앙아시아의 민관협력사업에 진출한 의의가 크다는 분위기입니다. 단순 시공은 과거에도 여럿 있었으나 국내 기업이 카자흐스탄 관계 당국에 인프라의 필요성을 먼저 제안하고 설계에 동참하는 경우는 처음이라는 것.

 

민관협력사업은 사실상 현지 도시개발에 외국 기업이 동참하는 성격이다보니 기업에 대한 충분한 신뢰와 협력이 뒷받침 돼야 성사됩니다. 그만큼 계약이 성사되면 당국 공적자금을 보다 폭넓게 지원받을 수 있는 프리미엄도 부여됩니다.

 

SK건설 관계자는 “카자흐스탄의 최초 민관협력사업인 만큼 대주단의 적극적인 협조 하에 카자흐스탄 정부가 관련 법령을 개정하는 등 각고의 노력 끝에 이번 금융약정이 성사됐다”며 “이번 사업을 계기로 유럽, 동남아시아 등 기존 인프라 시장 외에 중앙아시아까지 사업영역을 확대했다는 의미가 크다”고 말했습니다.

 

SK건설은 앞으로 터키 건설사 2곳과 알마니 순환도로의 설계·부품 조달·시공을 진행하며 준공 후에는 한국도로공사와 운영해 카자흐스탄 정부로부터 확정수입을 받게 됩니다. 총 기간 20년 중 공사기간 50개월, 운영기간 15년 10개월로, 계약기간이 끝나면 운영권은 카자흐스탄 정부에 이관됩니다.

 

SK건설은 시공 및 출자지분 33.3%를 보유해 공사수익 외 지분투자에 대한 배당수익도 받습니다.

 

안재현 SK건설 사장은 “카자흐스탄 최초의 민관협력사업인 알마티 순환도로 사업이 다자개발은행의 적극적인 투자 참여로 인해 금융약정을 성공적으로 마무리 짓게 됐다”며 “터키, 영국 등 유럽에 이어 중앙아시아 시장에서도 새로운 성공모델을 만들어낼 수 있도록 최선을 다하겠다”고 말했습니다.

 

한편 SK건설은 이번 사업을 포함, 현재 총 4건의 인프라 개발형사업을 진행 중입니다. 터키에서 유라시아 해저터널을 2016년 12월에 준공해 현재 운영 중인데요.

 

대림산업과 함께 수주한 세계 최장 차나칼레 현수교는 2022년 개통을 목표로 시공하고 있습니다. 영국에서는 런던 템즈강 하부를 관통하는 실버타운 터널 사업이 지난해 11월 금융약정을 마치고 본격적인 착공을 앞둔 상태입니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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