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LG화학, 9000억 규모 회사채 발행...“시설투자 재원 확보”

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Thursday, February 13, 2020, 17:02:19

회사채 수요예측 결과 2조 3700억 원 자금 몰려..계획보다 8000억 원 증액
우수한 금리로 유동성 확보..NCC, PO 등 석유화학 시설 증설에 자금 투입

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣLG화학이 9000억 원 규모의 회사채를 발행합니다. 회사채 발행을 통해 유동성을 확보한 LG화학은 석유화학 부문 시설투자를 위한 실탄을 넉넉히 마련하게 됐습니다.

 

앞서 LG화학은 지난 11일 기관 투자자를 대상으로 5000억 원 규모의 회사채에 대한 수요를 예측했는데요. 수요예측 결과 2조 3700억 원의 자금이 몰리면서 당초 계획(1000억 원)보다 확대된 9000억 원 규모의 회사채를 발행하게 됐습니다.

 

LG화학은 공모채 수요예측에서 2018년부터 3년 연속 2조 원대의 참여금액을 기록했습니다. 2018년엔 2조 1600억 원, 2019년엔 2조 6400억 원의 자금이 몰렸습니다.

 

수요예측에 많은 투자자들이 몰리면서 LG화학은 우수한 금리로 투자재원을 조달하게 됐는데요.구체적으로는 만기 3년물 3500억 원, 만기 5년물 2500억 원, 만기 7년물 500억 원, 만기 10년물 2500억 원을 발행할 계획입니다.

 

만기 3년, 5년, 7년물은 개별민평금리와 비슷한 수준으로 예상됩니다. 만기 10년물은 개별민평금리 대비 0.05%p 낮은 수준으로 금리가 확정될 것으로 전망되며, 확정 금리는 오는 18일에 최종 결정됩니다.

 

LG화학은 이번 회사채 발행으로 확보한 투자재원을 석유화학 부문 사업구조 고도화를 위한 시설자금으로 사용할 예정입니다. 특히 여수 NCC(납사분해시설) 공장 및 고부가 PO(폴리올레핀) 생산시설 증설에 투입될 것으로 알려졌습니다.

 

차동석 LG화학 CFO(최고재무책임자) 부사장은 “이번 회사채의 성공적인 발행은 투자자들이 당사의 미래 성장성을 긍정적으로 평가했기 때문”이라며 “앞으로도 전 사업부문에서 사업구조 고도화를 추진해 세계 최고 수준의 사업경쟁력을 갖춰나갈 것”이라고 말했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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