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“라임사태 재발 안된다”...금융당국, 사모펀드제도 개선

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Friday, February 14, 2020, 13:02:06

부실 전문사모운용사 ‘패스트트랙’으로 퇴출..등록·말소제도 도입

 

인더뉴스 신재철 기자ㅣ금융위원회와 금융감독원은 지난 10월 벌어진 라임사태의 재발 방지를 위한 제도개선안을 14일 밝혔습니다.

 

금융당국은 지난해 11월부터 올해 1월까지 사모펀드 시장현황과 잠재위험을 파악하기 위한 실태 점검을 했는데요. 전반적으로 위험한 운용형태나 부실한 투자구조는 많지 않은 것으로 파악했습니다.

 

그러나 점검 결과 투자자 보호 등 측면에서 시장 신뢰를 저해 할 수 있는 일부 미비점이 발견돼 보완하는 방안을 내놨습니다.

 

이날 발표된 ‘사모펀드 현황 평가와 제도개선 방향’에 따르면 시장규율을 통한 위험관리 강화로 각 시장참여자가 효과적으로 상호 견제토록 했습니다.

 

운용사는 위험에 대한 식별과 관리를 위해 내부통제를 강화하고 같은 투신사 내의 펀드와 펀드간의 채권 거래인 자전거래 시 거래되는 자산에 대한 가치를 운용사 임의로 평가하지 않도록 해 다른 펀드로 부실이 옮겨가는 것를 막았습니다.

 

판매사는 사모펀드가 규약 투자설명자료 등의 내용과 다르게 운용되는지에 대한 점검을 할 책임을 갖게 됩니다. 따라서 앞으로는 사모펀드 판매 이후에도 운용 상황에 대한 모니터링을 하고 점검결과에 따라 운용사에 시정을 요구하고 투자자에게 알려야 합니다.

 

수탁기관과 증권사는 운용사의 위법·부당행위에 대한 감시 기능이 부여됩니다. 레버리지 제공에 대한 관리책임도 강화되는데요. 펀드별로 레버리지 수준이 적당한지 평가하고 리스크에 대한 상황을 통제해야 합니다.

 

투자자는 자기책임 원칙에 따라 투자할 수 있도록 판매사와 운용사의 핵심 투자정보와 정기적인 자산운용보고서를 제공 받게 됩니다.

 

 

또 이번 점검에서 발견된 투자자 보호에 취약한 펀드 구조에 대해서는 필요한 최소한의 규제를 도입합니다.

 

비유동성 자산 투자비중이 50% 이상인 경우에는 개방형 펀드로 설정 금지하고, 개방형 펀드에 대해 주기적으로 유동성 스트레스 테스트를 의무화 했습니다.

 

금융당국은 이같은 개선방안을 바탕으로 향후 부실 전문사모운용사에 대해서는 ‘패스트트랙’으로 퇴출 할 수 있는 등록말소 제도를 도입할 계획입니다. 구체적 제도개선 방안은 이해관계자와 전문가의 의견을 수렴해 오는 3월 발표하기로 했습니다.

 

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신재철 기자 jc@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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