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반도체 장비 시장 ‘기지개’...“내년 역대 최대 시장규모 전망”

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Tuesday, March 10, 2020, 12:03:35

올해 최대 투자처 대만..한국은 2021년 최대치 기록

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ하락세가 이어지던 반도체 장비 시장이 기지개를 켜고 있습니다. 한국과 대만 주요 업체가 투자를 늘린 덕입니다. 이에 따라 내년에 역대 최대 시장규모를 기록할 것이라는 전망이 나왔습니다.

 

10일 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 ‘세계 팹 전망 보고서’를 통해 “세계 팹(반도체 생산공장) 장비 투자액은 지난해 하락세에서 벗어나 올해 완만한 회복세를 보이고 오는 2021년 급격하게 성장하여 역대 최대 규모를 기록할 것”이라고 밝혔습니다.

 

보고서에 따르면 올해 상반기 팹 장비 투자액은 지난해 하반기 대비 약 18% 하락할 것으로 예상됩니다. 하지만 하반기부터 본격적인 회복세를 타면서 올해 반도체 팹 장비 투자액은 지난해 562억 달러 대비 약 3% 상승한 578억 달러가 될 것으로 보입니다.

 

 

앞서 SEMI는 지난해 12월 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)으로 올해 중국 팹 장비 투자가 줄 것으로 보고 전 세계 팹 장비 투자액 전망치를 하향 조정했습니다. 하지만 이번 보고서에서는 올해 중국 장비 투자액은 전년 대비 약 5% 성장하여 120억 달러를 넘어서고 내년에는 약 22% 증가한 150억 달러를 기록할 것으로 예상했습니다.

 

올해 대만 팹 장비 투자액은 TSMC와 마이크론에 힘입어 약 140억 달러로 역대 최고치를 달성하며 주요 지역 중 최대 투자처가 될 것으로 보입니다. 하지만 내년에는 투자액이 약 5% 감소한 130억 달러를 기록하면서 주요 투자 지역 중 3위를 기록할 것으로 예상됩니다.

 

한국은 올해 삼성전자와 SK 하이닉스가 투자를 확대하면서 팹 장비 투자에서 두 번째로 큰 비중을 차지할 것으로 보입니다. 투자액은 지난해 대비 31% 성장한 130억 달러를 넘어설 전망입니다. 이어 내년 투자액은 26% 상승한 170억 달러를 기록하며 가장 많은 투자가 이루어지는 지역으로 올라서게 될 것으로 예상됩니다.

 

싱가포르를 중심으로 한 동남아시아 지역 올해 팹 장비 투자액은 전년 대비 약 33% 상승한 22억 달러를 기록할 것으로 보이며 이듬해에는 26% 성장할 것으로 예상됩니다. 유럽 및 중동 지역 팹 장비 투자액은 올해 50% 이상 급성장한 37억 달러로 추정됩니다.

 

일본 팹 장비 투자액은 올해 2%, 내년에는 약 4% 성장할 것으로 예상됩니다. 북미 지역은 올해 전년 대비 24% 감소한 62억 달러가 될 것으로 전망되며 내년 또한 4% 감소하여 투자 침체가 연장될 것으로 보입니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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