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[스타터 UP] 스타트업 인력 모여 ‘팁스타운’ 형성...창업가의 거리도 조성 ③

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Thursday, March 19, 2020, 11:03:00

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ서울 강남에 스타트업 창업가를 위한 거리가 있다?

 

강남의 테헤란로는 한국 스타트업의 성지입니다. 김대중 정부시절부터 2010년 국내 최초 엑셀러레이터 프라이머와 2012년 디캠프도 이곳에서 시작했습니다. 당시 최초의 실리콘밸리 같은 인큐베이터 기관이 생긴 겁니다.

 

서울 중심가에 기술 창업을 지원, 육성을 위해서 팁스타운이 형성돼 있습니다. 2013년 팁스를 시작하면서 테헤란밸리에 자리잡았습니다. 다만, 팁스가 뽑은 창업팀들이 입주할 공간이 부족해 인큐베이팅을 통한 보육이 잘 안 됐습니다.

 

고민 끝에 통합 인큐베이팅을 만들어보기로 결정했는데요. 단순하게 여러 팀들이 모여 있으면 시너지가 더 크지 않을까하는 생각에서 출발했고, 2014년부터 본격적으로 팁스타운을 기획하게 됐습니다. 이 과정에서 디캠프의 개방성과 마루180의 연합성 두 가지를 적절하게 벤치마킹했습니다. 이듬해인 2015년 팁스타운을 오픈했습니다.

 

민간투자주도형 기술창업 지원사업(TIPS)에 선정된 창업팀, 벤처투자사, 유관기관 등이 입주한 창업공간입니다. 현재 77개 기업의 530여명이 팁스타운에 상주하고 있습니다.

 

시장에선 팁스타운을 “민관 협력을 통한 테헤란밸리 구축으로 간 제1차 벤처붐 재현”이라고 평하고 있습니다. 이 곳은 팁스 프로그램과 결합된 콘텐츠가 있는 화학적 창업종합공간입니다. 구로와 강남, 판교로 이어지는 벤처-창업 3대 클러스터를 조성하고 있습니다.

 

 

팁스타운은 현재 강남구 역삼로에 4개 건물(해성, 명우, 현승, 태광) 23개층을 사용하고 있는데요. 건물 내 스타트업을 지원하기 위한 여러 공간으로 나뉘어 있습니다. 우선, 보육 시설로는 소통과 협력을 위한 오픈공간과 보안과 업무효율성을 위한 독립공간으로 분리돼 있습니다.

 

층별로 다수의 회의실과 소규모 강의를 위한 교육장, 입주사 편의를 위한 휴식공간을 보유하고 있습니다. 또 캐주얼한 네트워킹 공간인 유니온스퀘어, 트라팔가광장에 이어 대규모 네트워킹이 가능한 팁스홀도 활용 가능합니다.

 

스타트업이 시제품을 제작할 수 있는 공간도 마련돼 있습니다. 시제품 제작을 지원하는 메이커스페이스와 분야별 상담을 지원하는 스타트업스퀘어, 기술보증기금이 있습니다.

 

팁스타운 인근엔 기업에서 운영하는 스타트업 육성 전문 공간이 인접해 있습니다. 예컨대, 한화 드림플러스, 구글 캠퍼스, 네이버 등입니다. 물론 마루180과 디캠프와도 가까워 서로 협업하는데 용이합니다.

 

 

향후 팁스는 역삼로에 팁스와 같은 건물을 하나 더 늘리는게 목표입니다. 강남구청과 함께 창업가의 거리를 조성 중인데요. 작년부터 구청과 함께 강남스타트업센터 ‘S5’를 만들었습니다.

 

팁스뿐만 아니라 마루180도 ‘창업밸리’를 조성 중입니다. 벤처 투자 전문 창업밸리를 만들고 있는데, 내년 초가 되면 8개사가 생깁니다. 현재 팁스타운을 중심으로 100m 가량이 창업가의 거리가 형성되는 것입니다.

 

팁스와 마루180, 1인 기업까지 포함해 약 200여개의 스타트업 관련 기업이 조성되는데요. 스타트업 종사자 규모도 1000명~1500명으로 예상됩니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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