인더뉴스 이진솔 기자ㅣ삼성전자가 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄습니다. 수탁생산에 적용해왔던 EUV 공정을 주력 분야인 메모리 반도체에도 적용해 경쟁력을 높인다는 방침입니다.
삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만 개 이상을 공급해 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 25일 밝혔습니다.
EUV 노광 기술은 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 정확도를 높입니다. 성능과 수율을 높이고고 제품 개발 기간을 단축하는 장점이 있습니다.
삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발하고 있습니다. 향후 차세대 제품 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 높일 예정입니다. 해당 제품은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 경쟁력을 강화할 수 있습니다.
삼성전자는 내년에 4세대 10나노급(1a) D램을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발한다는 전략입니다. 올해 하반기에는 평택 신규 라인을 가동해 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획입니다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속해서 성장하는데 기여할 것”이라고 말했습니다.