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코로나19 대응 ‘잰걸음’...이재용 부회장 “한계에 부딪쳤을 때 힘내서 벽을 넘자”

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Wednesday, March 25, 2020, 11:03:54

삼성종합기술원 찾아 신기술 연구개발 현황을 보고 받아..이달만 세 번째 현장경영

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 코로나19 비상 대응을 위한 현장 경영에 잰걸음입니다. 올해 6번째 현장 경영으로 이달에만 세 번째 현장 점검입니다.

 

이재용 삼성전자 부회장은 25일 오전 수원에 위치한 삼성종합기술원을 찾아 신기술 연구개발 현황을 보고 받고 차세대 미래기술 전략을 점검했습니다.

 

이날 간담회에서는 ▲차세대 AI 반도체 및 소프트웨어 알고리즘 ▲양자 컴퓨팅 기술 ▲미래 보안기술 ▲반도체·디스플레이·전지 등의 혁신 소재 등 선행 기술에 대한 논의가 이뤄졌습니다.

 

이밖에도 ▲사회적 난제인 미세먼지 문제 해결을 위해 지난해 설립한 미세먼지 연구소의 추진 전략 등도 살펴봤습니다.

 

이 자리에는 김기남 삼성전자 DS부문 부회장, 황성우 삼성종합기술원장 사장, 강호규 삼성전자 반도체연구소장, 곽진오 삼성디스플레이 연구소장 등이 배석했습니다.

 

이재용 부회장은 “어렵고 힘들 때일수록 미래를 철저히 준비해야 하고, 국민의 성원에 우리가 보답할 수 있는 길은 혁신이다”며 “한계에 부딪쳤다 생각될 때 다시 한번 힘을 내 벽을 넘자”고 말했습니다.

 

삼성종합기술원은 1987년 미래 준비를 위한 기초 연구와 핵심 원천기술 선행 개발을 위해 개관했습니다. 현재는 17개 연구실(Lab)에서 1200여 명의 연구원들이 차세대 기술에 대한 연구를 진행하고 있습니다.

 

이 부회장은 올해 현장 경영에 적극 나서고 있는데요. 특히 코로나19가 확산되는 지난달부터 현장을 찾아 임직원들 격려에 나서고 있습니다.

 

앞서 이 부회장은 이달 19일 삼성디스플레이 아산사업장을 찾아 디스플레이 패널 생산라인을 살펴보고, 사업 전략을 점검했습니다. 코로나19로 글로벌 경제 환경의 불확실성이 높아지면서 위기 극복과 미래 사업 준비를 강조하고 있습니다.

 

이 부회장은 “예상치 못한 변수로 힘들겠지만 잠시도 멈추면 안된다”며 “신중하되 과감하게 기존의 틀을 넘어서고, 위기 이후를 내다보는 지혜와 함께 흔들림 없이 도전을 이어가자”고 말했습니다.

 

코로나19 확진자가 다수 발생한 구미사업장도 직접 찾았습니다. 구미 생산 라인에서 근무하는 직원들을 직접 만나 “어려운 상황에서도 최일선 생산 현장에서 묵묵히 일하고 계신 여러분께 진심으로 감사드린다”고 격려했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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