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화웨이, 스트래티지애널리틱스 선정 ‘5G 표준화 정립 기여도’ 1위

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Thursday, March 26, 2020, 11:03:55

화웽, 5가지 항목서 평점 9.6점 받아 가장 높아..삼성전자는 평점 3.5로 6위 머물러

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ화웨이가 5G 표준화 정립 기여도에서 1위를 차지한 것으로 나타났습니다. 화웨이에 이어 에릭슨, 노키아, 퀄컴, 차이나모바일이 2,3,4,5위를 차지했고, 국내 기업인 삼성전자는 기여도 3.5점을 받아 6위에 머물렀습니다.

 

26일 화웨이는 최근 시장조사업체 스트래티지애널리틱스(Strategy Analytics, SA)가 3GPP(이동통신표준화기술협력기구)의 5G 표준 정립에 대한 네트워크 인프라 기업들의 기여도를 분석한 결과 평점 9.6점을 받아 가장 높았습니다.

 

스트래티지애널리틱스는 화웨이, 에릭슨, 노키아 등 13개 기업을 대상으로 3GPP의 5G 표준인 릴리즈15와 릴리즈 16 정립 과정에 대한 기여도를 분석했습니다.

 

평가는 5가지 항목으로 ▲ 5G 논문 제출 수 ▲ 제출된 5G 논문 중 무선기술규격그룹(Technical Specification Groups, TSG)과 워킹그룹(Working Groups, WG)에서 승인 받은 수 ▲ 전체 제출된 논문 중 승인된 5G 논문 비율 ▲ TSG와 WG 의장직 수행 경험 ▲ TSG 및 WG 5G 조사위원 수행 경험 등입니다. 이 중 3가지 부문에서 만점(10점)을 받아, 전체 평점 9.6점으로 1위 기업에 이름을 올렸습니다.

 

국내 기업인 삼성전자는 평점 3.5점을 받아 6위에 머물렀습니다. 특히 ▲ 5G 논문수 ▲ 논문 승인 수 ▲ TSG 및 WG 5G 조사위원 항목에서 1~2점대의 낮은 점수를 받았습니다.

 

수 러드(Sue Rudd) 스트래티지애널리틱스 네트워크 및 서비스플랫폼 담당 이사는 “화웨이 등 주요 네트워크 인프라 공급업체가 다른 기업들에 비해 5G 표준 정립에 상당한 기여를 하고 있다”며 “특히, 화웨이는 엔드 투 엔드 5G 표준화 관련 모든 평가영역에서 좋은 평가를 받아 기여도가 높음을 확인할 수 있다”고 말했습니다.

 

이어 스트래티지애널리틱스는 “5G 리더십의 지표로 표준 필수 특허(Standard-Essential Patent, SEP)가 주로 사용되지만 이는 5G 초기에 특허의 품질을 평가하기 어렵다”고 설명했습니다. 이 때문에 이번 조사에서 분석한 표준화 정립에 대한 기여도가 5G 리더십의 지표의 역할을 할 수 있다고 분석했습니다.

 

한편, 화웨이는 5G 특허 부문도 경쟁사들과 확연한 격차를 보이고 있습니다. 독일 시장조사업체 아이피리틱스(IPlytics)가 지난 1월 발표한 보고서에 따르면, 화웨이는 2012년 이후로 5G 패밀리특허 선언(2618건)을 가장 많이 한 기업으로 조사됐는데요. 또, 화웨이는 지난 11일 유럽특허청이 발표한 2019년도 유럽 특허 출원 기업 조사에서도 3524건으로 1위에 선정됐습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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