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조원태 한진 회장, 주총 표대결서 ‘완승’...그룹 경영권 지켰다

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Friday, March 27, 2020, 16:03:10

한진칼 주총서 56.67% 찬성 얻어 사내이사 재선임..‘남매의 난’ 진화
3자연합 추천한 이사 후보 전원 ‘고배’..향후 임시주총 소집 가능성도

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ조원태 한진그룹 회장이 경영권 방어에 성공했습니다. 조현아 전 부사장이 이끄는 3자 주주연합은 조 회장을 끌어내리기 위해 표심몰이에 집중해 왔는데요. 하지만 3자연합이 추천한 사외이사 후보 선임안은 모두 부결되고, 조 회장은 사내이사에 재선임됐습니다.

 

한진그룹의 지주사인 한진칼은 27일 오후 서울 중구 한진빌딩 본관에서 제7기 정기 주주총회를 열고 조 회장의 사내이사 재선임 안건을 가결했습니다. 주총에 참여한 주식수 4864만 5640주 가운데 찬성표은 2756만 9022표(56.67%), 반대 2104만 7801표(43.27%), 기권은 2만 8817표(0.06%)였습니다.

 

조 회장 외에 한진칼이 제안한 총 6명의 이사 후보도 모두 선임됐습니다. 김석동 전 위원장·박영석 자본시장 연구원장·임춘수 마이다스프라이빗에쿼티 대표·최윤희 전 건국대 법학전문대학원장·이동명 법무법인 처음 대표변호사는 사외이사에, 하은용 대한항공 부사장은 사내이사에 선임됐습니다.

 

 

반면 조 전 부사장·KCGI·반도건설 등 3자연합이 추천한 사외이사 후보들에 대한 선임 안건은 모두 부결됐습니다. 서윤석 이화여대 교수, 여은정 중앙대 교수, 이형석 수원대 교수, 구본주 법무법인 사람과사람 변호사 등 4명은 모두 과반이 넘는 반대표를 받으면서 선임에 실패했습니다.

 

3자연합이 내세운 사내이사 후보 2명 역시 고배를 마셨는데요. 김신배 포스코 이사회 의장과 배경태 전 삼성전자 부사장은 모두 과반수 이상 찬성표를 얻지 못해 사내이사에 오르지 못했습니다.

 

조 회장이 주총 표 대결에서 완승을 거두면서 조 전 부사장과의 ‘남매의 난’도 진화되는 분위기입니다. 주총 전날인 26일 ‘캐스팅보트’였던 국민연금이 조 회장의 사내이사 선임 안건에 찬성하면서 이 같은 결과는 예정된 수순이었습니다.

 

 

조 회장은 이날 주총에서 총 40.38%의 우호지분을 확보했는데요. 특수관계인을 포함한 지분 22.45%와 국민연금 2.9%를 비롯해 델타항공 10%, 카카오 1%, 대한항공 자가보험과 사우회 3.79%, GS칼텍스 0.25% 등입니다.

 

반면 3자연합이 확보한 지분은 조 전 부사장 6.49%, KCGI 17.29%, 반도건설 5% 등 총 28.78%에 불과했습니다.

 

하지만 갈등의 불씨가 완전히 사라졌다고 보긴 어렸습니다. 한진그룹의 경영권을 노리는 3자연합이 꾸준히 지분을 사들이고 있기 때문인데요. 이에 따라 3자연합이 임시 주총을 소집하는 등 지속적으로 조 회장을 견제하지 않겠냐는 시각이 우세합니다.

 

한편, 이날 조 회장은 이날 주총에 참석하지 않은 채 석태수 한진칼 사장이 의장을 맡았는데요. 당초 오전 9시에 주총이 시작될 예정이었지만, 소액주주 의결권 위임장의 중복 확인 절차가 길어지면서 3시간이나 지연됐습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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