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[기자수첩] 손태승 우리금융 회장의 최우선 과제는...

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Wednesday, April 08, 2020, 07:04:00

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ손태승 우리금융그룹 회장이 지난달 우여곡절 끝에 연임에 성공했습니다. 손 회장은 3년 임기의 2기 경영체제를 시작하지만, 앞길은 화려한 장밋빛은 아닙니다. 연임 결정 과정에서 발목 잡았던 과제를 해결해야 하기 때문이죠. 바로 금융감독원과의 ‘소송’ 입니다.

 

손 회장은 대규모 손실로 큰 파문을 일으킨 DLF(해외금리 연계 파생결합펀드) 불완전판매와 관련해 금감원으로부터 중징계인 문책경고 처분을 받았습니다. 이에 손 회장은 징계 효력을 정지시켜 달라는 집행정지 가처분신청을 했습니다. 서울행정법원이 이를 받아들이면서 지난달 주주총회에서 연임에 성공할 수 있었습니다.

 

그러나 금감원은 법원의 이번 집행정지 가처분신청 인용 결정에 불복, 바로 항고장을 제출했습니다. 가처분 인용을 취소하고 중징계 효력을 되살려 달라는 겁니다.

 

물론 금감원의 항고만으로는 손 회장의 연임을 되돌릴 순 없습니다. 행정소송법 23조5항에 '즉시항고에는 결정의 집행을 정지하는 효력이 없다'고 규정돼 있기 때문입니다.

 

그럼에도 금감원이 항고를 택한 이유는 제재처분의 정당성을 계속 주장해 손 회장과의 본안소송(本案訴訟·가처분 이행을 위한 정식 소송 절차)에서 밀리지 않겠다는 의도로 풀이됩니다. 손 회장과 금감원 모두 후퇴할 수 없는 처지인 만큼 치열한 법정 공방을 벌이면서 껄끄러운 관계를 이어나갈 수밖에 없습니다.

 

그러나 대주주 적격성 승인 등 권한을 쥐고 있는 금감원과 불편한 관계는 금융회사를 경영하기에 큰 부담입니다. 현재 우리은행은 금융당국 결정에 따라 DLF 손실 고객들에게 배상을 해주고 있으나 DLF 관련 비판 여론은 아직도 계속되고 있습니다. 라임펀드 불완전판매 혐의까지 덧씌워져 우리은행의 영업 행태가 도마 위에 오른 상태입니다.

 

또 우리금융은 다른 금융그룹과 달리 보험과 카드사가 없거나 비중이 미약해 탄탄한 포트폴리오를 갖추고 있지 못한 상태입니다. 은행에 대한 의존도가 너무 커 앞으로 상당한 규모의 인수합병(M&A)에 적극 나서야 합니다. 손 회장과 금감원의 소송은 결국 우리금융 경영에 영향이 미칠 수밖에 없습니다.

 

손 회장은 우리금융의 원활한 경영을 위해 서둘러 금감원과 관계를 회복해야 합니다. 당장 코로나19 사태가 촉발한 위기에서 벗어날 수 있는 지휘가 필요한 시기입니다. 금융당국을 비롯한 정부 정책을 공유하며 발맞춰 나가지 않을 수 없는 상황입니다.

 

우리금융은 은행권 중에서 키코사태를 빠르게 배상했고, 조직 역시 금융소비자 보호를 중심으로 빠르게 정비했습니다. 이와 같이 손 회장은 금감원과의 관계도 합리적으로 해결해야 합니다. 장기전을 염두에 둔 소송이 아니라 주총에서 강조했던 ‘고객 신뢰’를 우선으로, 그동안의 불완전 영업 행태를 배상하고 책임지는 경영인의 모습을 보여야 합니다.

 

또 DLF사태와 라임펀드 관련 의혹으로 리스크관리에도 약점이 드러났습니다. 이로 인해 우리금융은 많은 신뢰를 잃었습니다. 손 회장은 리스크관리 시스템을 재정비하고 소비자의 신뢰를 회복해 다시 ‘함께하는 우리금융’으로 이끌어야 합니다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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