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이재용 부회장 대국민 사과 코로나19로 한 달 연기…5월에 직접 나설까?

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Thursday, April 09, 2020, 10:04:27

삼성, 준법감시위에 이 부회장 경영승계 의혹·노조 관련 사과 기한 연기 요청
코로나19 등으로 내부 검토 더 필요하다 의견 전달..준법위, 5월 11일로 연기

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장의 대국민 사과가 결국 한 달 뒤로 연기됐습니다. 삼성 준법감시위원회는 지난달 이 부회장이 직접 삼성의 경영권 승계 의혹과 노조 와해 논란 등에 대한 대국민 사과를 요구했고, 답변 기한도 30일로 정했습니다.

 

삼성은 최근 코로나19 등의 상황을 고려해 기한을 연장해달라고 준법감시위에 요청했는데요.

 

준법위는 지난 8일 삼성의 요청을 받아들여 기한을 다음달로 연기하기로 결정했습니다. 이에 따라 이 부회장을 비롯한 7개 계열사에 보낸 권고문에 대한 회신 기한을 내달 11일로 연장됩니다.

 

앞서 준법위는 지난달 이 부회장에 삼성그룹 경영권 승계 과정 중 위법 사항, 노조 문제 등과 관련해 반성과 대국민 사과를 권고한 바 있습니다.

 

권고안대로면 이번주 10일까지 대국민 사과 등에 대한 구체적인 계획이 나와야 했는데요. 하지만 코로나19 등 대외적인 환경을 고려해 내부 검토가 더 필요하다는 삼성 측의 고민이 반영된 것으로 보입니다.

 

삼성 측은 “신종 코로나바이러스 감염증 사태가 확산하면서 사업영업 전반에 걸쳐 심각한 위기 국면을 맞았다”며 “삼성의 모든 경영진과 임직원들이 이에 대처하기 위해 비상경영체제로 대응해 권고안 논의 일정에 불가피한 차질이 생겼다”고 설명했습니다.

 

이어 “권고안 이행방안을 최종 도출하기 위해 삼성 측은 내부에서 심도 있는 논의와 의견 청취, 회의, 집단토론, 이사회 보고 등의 절차를 진행해 더 시일이 소요되고 있어 최소한 1개월 더 기한을 연장해줄 것을 희망한다”요구했습니다.

 

대국민 사과가 다음달로 미뤄지면서 이 부회장이 어떤 방식으로 사과에 나설지 주목됩니다. 준법위는 과거 경영권 승계 과정에서 준법의무 위반 행위에 대한 이 부회장의 사과와 재발방지 약속을 요구했습니다. 또 삼성의 기존 무노조 경영 방침을 철회하고, 이 내용을 이 부회장이 직접 표명할 것을 권고했습니다.

 

삼성 측의 고민도 깊어지고 있습니다. 이 부회장의 파기환송심 재판이 끝나지 않았고, 현재 코로나19로 무기한 연기되면서 경영권 승계 의혹에 대해 언급하기 쉽지 않을 것이란 관측이 나옵니다. 다만, 대국민 사과를 직접할 경우 사과 수위와 내용이 국민의 기대치에 부합하지 못 할 경우 역풍을 맞을 수 있을거란 지적도 나옵니다.

 

코로나19도 변수입니다. 현재 정부에서 코로나19 확산 방지를 위해 4주째 ‘사회적 거리두기’를 권고한 가운데, 대규모 기자회견에 대한 부정적인 반응들이 나오고 있기 때문입니다.

 

이와 관련, 김지형 준법감시위 위원장은 “삼성 측에서 기한을 지키지 못한 건 실망스러운 일”이라며 “비록 어려운 여건이긴 하지만 하루라도 앞당겨 최선의 방안을 도출해 내는 것이 국민 기대에 부응하는 도리”라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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