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현대모비스, 코로나19 ‘직격탄’...완성차 판매 줄자 모듈사업 ‘적자’

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Friday, April 24, 2020, 15:04:32

전년比 매출 3.6%, 영업익 26.9% 급감…모듈·핵심부품 영업손실 899억원
2분기 수익개선에 총력..미래차 개발 위해 의왕연구소에 3000억원 투자

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대모비스의 올해 1분기 영업실적이 코로나19로 인해 직격탄을 맞았습니다. 현대·기아차의 글로벌 판매량이 크게 줄면서 현대모비스의 주력사업인 모듈·핵심부품 제조부문이 적자로 전환했는데요. 2분기의 시장상황은 더욱 악화될 것으로 보여 비상경영과 수익개선 활동에 총력을 기울인다는 방침입니다.

 

현대모비스는 올해 1분기 매출액 8조 4230억원, 영업이익 3609억원, 당기순이익 3488억원을 기록했다고 24일 밝혔습니다. 전년 동기 대비 매출은 3.6% 감소했고, 영업이익과 당기순이익은 각각 26.9%, 28.2%씩 급감했습니다.

 

현대모비스의 1분기 실적은 현대·기아차의 완성차 판매 감소가 직접적인 영향을 미쳤는데요. 전동화부품 매출이 22.2% 증가했는데도 모듈·핵심부품 부문의 전체 매출은 5.7% 하락한 6조 5361억원에 그쳤습니다.

 

특히, 모듈·핵심부품 부문은 899억원의 영업손실을 내면서 전체 수익성을 떨어뜨렸습니다. 부품 생산량이 감소하면서 고정비가 늘었고, 미래기술 강화를 위한 연구개발투자비가 증가한 영향이 컸다는 게 현대모비스의 설명입니다.

 

현대·기아차 외의 글로벌 완성차 수주 실적도 코로나19 영향으로 연간 계획 대비 14% 수준인 3억 8000만 달러에 그쳤습니다. 완성차 업계의 일부 수주 일정이 지연됐기 때문인데요. 현대모비스는 2분기 이후 코로나 19 여파에서 회복세를 보이고있는 중국 시장을 중심으로 수주활동을 강화하겠다는 방침입니다.

 

현대모비스 관계자는 “코로나19 사태 초기였던 1분기에 중국시장에서 모듈 및 부품 매출이 55.7% 하락한 것이 실적에 가장 큰 영향을 미쳤지만, 사태가 장기화되면서 미주와 유럽시장을 중심으로 한 글로벌 시장의 침체가 2분기 실적에 더 큰 영향을 줄 것으로 우려된다”며 “비상경영과 수익개선 활동은 물론, 핵심경쟁력 강화를 위해 계속 노력할 것”이라고 말했습니다.

 

한편, 현대모비스는 이날 공시를 통해 R&D 신규거점 투자계획도 함께 밝혔습니다. 기술 트렌드를 대응하고 글로벌 시장 점유율 확대를 위해 자율주행, 커넥티비티, 전동화 분야 기술역량을 강화할 계획입니다.

 

이와 관련해 현대모비스는 국내 의왕연구소를 전동화 부품과 모듈 경쟁력 등 미래차에 특화된 핵심거점으로 육성하기 위해 약 3000억원을 투자합니다. 의왕연구소 내 유휴부지 약 4만 2000㎡를 매입해 향후 3년간 전동화 시스템 단위 기술과 핵심부품 개발 경쟁력을 한층 끌어올린다는 방침입니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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