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LH, 화성시 일대 공동주택용지 3필지 공급

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Wednesday, July 03, 2019, 11:07:11

화성태안3 B-1블록·화성비봉 B-3블록·남양뉴타운 B-5블록, 추첨 공급

 

[인더뉴스 진은혜 기자] 한국토지주택공사(이하 LH)가 화성시 일대에 공동주택용지 3필지를 공급한다는 계획과 함께 지구별 특성, 입지 등을 설명했다.

 

LH는 화성태안3, 화성비봉, 남양뉴타운 내 공동주택용지 총 3필지(14만 5000㎡)를 추첨 방식으로 공급한다고 3일 밝혔다.

 

화성태안3 공동주택용지(B-1)는 면적 4만 8939㎡, 공급금액 695억원 수준이며, 용적률 160%로 총 650가구를 건축 할 수 있다. 면적 118만㎡, 계획인구 1만명 규모로 개발 중인 화성태안3 택지개발 사업은 지구 내 녹지공원 및 한옥특화마을 조성이 예정돼 있다. 융건릉·용주사·만년제 등 역사 경관도 인접해 있다.

 

특히 지구 근처에 다수의 초‧중‧고등학교가 위치하고 있으며 반경 5km 내에 수원대, 한신대, 수원과학대 등 6개 대학교가 있다. LH 관계자는 “우수한 교육환경 덕에 교육도시로서의 성장 잠재력이 돋보인다”고 설명했다.

 

함께 공급하는 화성비봉 공동주택용지(B-3)의 경우 면적 4만 8285㎡, 공급금액 669억원 수준이다. 용적률 205%로 총 917가구를 조성할 수 있다.

 

화성비봉 공공주택지구는 면적 86만㎡, 계획인구 1만 6000명 규모로 개발 중이다. 서해안고속도로(비봉IC), 비봉-매송간 도시고속도로(양노IC)에서 가깝고 서해안 복선전철 개통이 예정돼 있다. 광역교통망과 수도권 접근성이 우수해 시장의 많은 관심을 받고 있다는 게 LH측 설명이다.

 

마지막으로 남양뉴타운 공동주택용지(B-5)는 면적 4만 8103㎡, 공급금액 577억원 수준이다. 용적률 160%로 총 727가구를 건축할 수 있다. 남양뉴타운 도시개발사업지구는 면적 257만㎡, 수용인구 3만9000명 규모로 조성될 예정이며 비봉지구와 인접하다.

 

LH 관계자는 “기존의 수자원과 산림자원을 활용해 공원과 녹지를 조성한 생태‧전원도시”라며 “화성시청과 화성서부복합문화센터와 가깝고 지구 내에 남양읍사무소가 위치하는 등 문화생활과 행정 편의시설을 함께 누릴 수 있는 여건이 마련돼 있다”고 설명했다.

 

이번 공급토지의 신청 및 추첨은 LH 청약센터(http://apply.lh.or.kr)를 통해 이뤄진다. 자세한 사항은 게시된 공고를 참고하거나 LH 화성사업본부 판매부로 문의하면 된다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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